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IGBT 的保护电路 过电流保护当集电极电流过大时，管子的饱和电压 U CE 将明显增加，使集电极电位升高，过高的集电极电位将使二极管 VD 1 截止，它作为过电流信号，送至 6 脚，通过模块中的保护电路，会使栅极电位下降，IGBT 截止，从而起到过电流保护作用。 此外，当出现过电流时，5 脚将输出低电平信号，使光电耦合器 LE 导通（见图 3-3） ，输出过电流保护动作信号（送至显示或报警或其他保护环节） 。在图 3-1 中，是在 R 2 与 LE 间，串接一发光二极管 LED，作为过电流显示。 模块中的 4 脚用于外接电容器， （可接 0.47μF 电容器至地）以防止过电流信号误动作；但绝大多数场合，可以不用，所以在图 3-1 中即未采用。 * * * */45 3、晶闸管 */45 晶闸管的伏安特性 单向导通特性：承受一定正向电压且受到门极触发时开通，反向电压时关断。 反向击穿特性：承受反向电压过高时，会反向击穿导通。 */45 通态平均电流IT(AV)——在指定的壳温和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。IT(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有足够的裕量（1.5倍）。 维持电流IH——维持晶闸管导通所必须的最小电流。 断态重复峰值电压UDRM——正向转折电压的80％。 反向重复峰值电压URRM——反向转折电压的80％。 通态压降UTM——额定电流时的管压降峰值。 晶闸管的主要参数 晶闸管的额定电压取UDRM和URRM中的较小值。选用时，应留有足够裕量（2~3倍）。 */45 晶闸管的开通关断过程 反向阻断恢复时间 正向阻断恢复时间 开通时间：ton=td+tr 关断时间：toff=trr+tgr */45 晶闸管的类型 快速晶闸管（FST） 包括： 快速晶闸管 高频晶闸管 关断速度： 普通晶闸管关断时间数百微秒 快速晶闸管数十微秒 高频晶闸管10?s左右 */45 双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC） 等效于一对反并联的晶闸管 西安理工大学电气工程系 */45 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor—CT） 等效于一个晶闸管与二极管的并联 */45 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，目前定额达到8kV/3500A。 相对于光控晶闸管，称为电控晶闸管（ETT） 光控晶闸管 */45 低功率LED阀基电子设备 光触发 信号 检回 信号 电门极 脉冲 高电位电子设备 电压检测 检查返回 辅助电源 逻辑电路 电门极脉冲 保护门极脉冲 高功率激光阀基电子设备 光门极 脉冲 检回 信号 电压检测 西安理工大学电气工程系 */45 4、IGBT/IGCT */45 */45 IGCT 5SHY35L4510 4500V/4000A IGCT是在GTO基础上改进而成的,和GTO相比， IGCT的关断时间降低了30%，功耗降低40%。 IGCT不需要吸收电路，可以像晶闸管一样导通，像 IGBT一样关断。 IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一 根光纤上就可以控制它的开通和关断。 反并联二极管 5SDF 16L45034500V/1650A */45 */45 */45 IGBT的伏安特性 a) 转移特性 b) 输出特性 */45 IGBT的主要参数 集射极电压VCES——IGBT集电极与发射极之间能够承受的最大电压。使用时并应留有一定的裕量。 集电极直流电流IC——在指定壳温下，IGBT集电极允许流过的最大直流电流。 集电极可重复峰值电流ICM——在不超过最大允许结温条件下，IGBT集电极允许流过的最大脉冲电流峰值。此值与脉冲宽度及占空比有关。 门极－集电极电压VGES——IGBT的门极驱动电压，通常开通电压15V，关断电压-5V，极限电压?20V。 */45 （1）td(on) (Turn-On Delay Time) （2）tr (Rise Time) （3）td(off)(Turn-Off Delay Time) （4）tf (Fall Time) IGBT的开通关断过程 */45 IGBT的驱动电路 */45 20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度比GTO快10倍。 可省去GTO复杂的缓冲电路，但驱动功率仍很大。 应用于大功率场合，可取代GTO。 IGCT （Integrated Gate-Commutated Thyristor）  ——集成门极