项目1节能灯电路的制作答题.ppt

＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 三价元素硼(B) B + 掺入硼杂质的硅半导体晶格中，空穴载流子的数量大大增加。因此空穴是这种半导体的导电主流。 掺入三价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自 由电子载流子的数量而称为空穴型半导体，也叫做P型半导体。 在P型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电 子，而不能移动的离子带负电。 － （3）杂质半导体—P型半导体 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数 量极少导电能力仍然很低。如果在其中掺入某种元素的微量 杂质，将使掺杂后的杂质半导体的导电性能大大增强。 + 五价元素磷(P) ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 P 掺入磷杂质的硅半导体晶格中，自由电子的数量大大增加。因此自由电子是这种半导体的导电主流。 在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电 子载流子的数目将增加几十万倍。掺入五价元素的杂质半导 体由于自由电子多而称为电子型半导体，也叫做N型半导体。 （3）杂质半导体—N型半导体 2. PN结的形成过程及其单向导电性 PN结的形成 杂质半导体的导电能力虽然比本征半导体极大增强，但它 们并不能称为半导体器件。在电子技术中，PN结是一切半导 体器件的“元概念”和技术起始点。 在一块晶片的两端分别注入三价元素硼和五价元素磷 + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － － － － － － － － － P区 N区 空间电荷区 内电场 　　3. PN结的单向导电性　　当PN结的P区接外电源的正极，N区接外电源的负极时，称为“正向连接”，也叫做“正向偏置”，此时外电场与内电场的方向相反，扩散与漂移运动的平衡被破坏。外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，于是空间电荷区变窄，内电场被削弱，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的扩散电流(由P区流向N区的正向电流)，如图1.22所示。 图1.22 正向偏置的PN结 PN结的单向导电性 PN结的上述“正向导通，反向阻断”作用，说明它具有单向 导电性，PN结的单向导电性是它构成半导体器件的基础。 由于常温下少数载流子的数量不多，故反向电流很小，而 且当外加电压在一定范围内变化时，反向电流几乎不随外加 电压的变化而变化，因此反向电流又称为反向饱和电流。反 向饱和电流由于很小一般可以忽略，从这一点来看，PN结对 反向电流呈高阻状态，也就是所谓的反向阻断作用。 值得注意的是，由于本征激发随温度的升高而加剧，导致 电子—空穴对增多，因而反向电流将随温度的升高而成倍增 长。反向电流是造成电路噪声的主要原因之一，因此，在设 计电路时，必须考虑温度补偿问题。 PN结中反向电流的讨论 1.4.2 半导体二极管 把PN结用管壳封装，然后在P区和N区分别向外引出一 个电极，即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基 本的半导体器件之一。根据其用途分有检波管、开关管、 稳压管和整流管等。 硅高频检波管 开关管 稳压管 整流管 发光二极管 电子工程实际中，二极管应用得非常广泛，上图所示即为各类二极管的部分产品实物图。 1. 二极管的基本结构和类型 点接触型：结面积小，适用于 高频检波、脉冲电路及计算机 中的开关元件。 外壳 触丝 N型锗片 正极引线 负极引线 N型锗 面接触型：结面积大，适用于 低频整流器件。 负极引线 底座 金锑合金 PN结 铝合金小球 正极引线 普通二极管 图符号 稳压二极管 图符号 发光二极管 图符号 D DZ D 使用二极管时，必须注意极性不能接反，否则电路非但不能正常工作，还有毁坏管子和其他元件的可能。 3. 二极管的伏安特性 U(V) 0.5 0 0.8 -50 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 二极管的伏安特性是指流过二极管的电流与两端所加电压的函数关系。二极管既然是一个PN结，其伏安特性当然具有“单向导电性”。 二极管的伏安特性呈非线性，特性曲线上大致可分为四个区： 外加正向电压超过死区电压(硅管0.5V，锗管0.1V)时，内电场 大大削弱，正向电流迅速增长，二极管进入正向导通区。 死区 正向 导通区 反向 截止区 当外加正向电压很低时，由于外电场还 不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运 动的阻力，故正向电流很小，几乎为零。 这一区域称之为死区。 外加反向电压超过反向击穿电压UBR时，反向电流