模块一电子常用电子元器件浅析.pptVIP

课 程 安 排 　在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 在本征半导体中掺入微量有用杂质后的半导体称为杂质半导体。 杂质半导体可分为空穴（P）型半导体和电子（N）型半导体两大类。 1.1.3 PN结及其单向导电性 PN结的单向导电性 (2) PN 结加反向电压（反向偏置） (2) PN 结加反向电压（反向偏置） 1.2 半导体二极管 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 特殊二极管 3. 光电二极管 利用半导体的光敏特性制造而成。在电路中，给光电二极管加反向电压，无光照射时，因PN结反偏，电流很小；当有光照射时，产生“光电流”，其大小与光照强度成正比。 1.3 半导体三极管 1.3.1 结构与符号 2. 输出特性 1.3.4 三极管的主要参数及温度影响 1. 三极管的主要参数 （4）极限参数 2. 温度对三极管参数的影响 (1) 温度对β的影响 三极管的β值会随温度的变化而变化，温度每升高1℃，β值增大0.5%～1%。 场效应管的主要参数 1.5 特种半导体器件简介 1.5.1 光敏电阻 1.4.2 N沟道增强型ＭＯＳ管的工作原理 P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ＵDＳ + – 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ＵDＤ + – N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 　　当UGS UＴ时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 　　当UGS ? UＴ后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UＴ。 1.4.3 特性曲线及主要参数 有导电沟道 转移特性曲线 无导电沟道 开启电压UGS(th） UDS UGS/ ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 (1) 开启电压 UＴ：增强型MOS管在UDS为某一固定值时，为使管子由截止变为导通，形成ID，栅源之间所需的最小的UGS (4) 低频跨导 gm： UDS一定时，漏极电流ID与栅源电压UGS的微变量之比定义为跨导，即 低频跨导表示栅源电压对漏极电流的控制能力 (2)击穿电压U（BR）DS 漏极和源极间允许的最大电压 (3)直流输入电阻RGS 栅源之间的电压与栅极电流之比定义为直流输入电阻RGS。MOS场效应管的RGS可达以上 光敏电阻有暗电阻、亮电阻和光电流等参数。 （1）暗电阻 光敏电阻在室温下，全暗后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时流过的电流，称为暗电流。 (2）亮电阻 光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻。此时流过的电流称为亮电流。 （3）光电流 亮电流与暗电流之差，称为光电流。 1.5.2 热敏电阻 热敏电阻的主要参数有标称电阻值、电阻温度系数和耗散系数等。 （1）标称电阻值R25 热敏电阻在25℃时的阻值，又称冷阻。标称电阻是阻值的大小由热敏电阻材料和几何尺寸决定。 （2）电阻温度系数 电阻温度系数是指热敏电阻的温度变化1℃ 时其阻值变化率与其值之比，即 （3）耗散系数H 耗散系数是指热敏电阻温度变化1℃ 所耗散的功率。其大小与热敏电阻的结构、形状以及所处介质的种类、状态等有关。 1.5.3 压敏电阻 压敏电阻的主要参数有压敏电压、电压温度系数和非线性系数等。 （1）压敏电压U1mA 压敏电压是指在直流工作电压条件下，压敏电阻中流过规定直流电流时，其两端的端电压。一般规定此直流电流的值为1mA。 （2）电压温度系数αu 当通过压敏电阻的电流保持恒定时，温度每变化1℃电压的相对变化百分比，称为压敏电阻的电压温度系数αu。 （3）非线性系数α 非线性系数是表征压敏电阻伏安特性非线性程度的一项重要参数。α越大越好。α越大，表明通过压敏电阻的电流随外加电压的变化越大。 本