模拟电子技术综合复习题学生(参考).docVIP

模拟电子技术综合复习题学生(参考).doc

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《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章) 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在P型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后, C 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B.空穴数增多,自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 D ;图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻Rb的作用是 A 。 A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源EC 15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形,二者相位 A 。 A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小Rb失真消除,这种失真一定是 B 失真。 A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路,当β=50时,IB=20μA,IC=1mA。若只更换β=100的晶体管,而其他参数不变,则IB和IC分别是 A 。 A. 10μA,1mA B. 20μA,2mA C. 30μA,3mA D. 40μA,4mA 18、有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同的放大器甲和乙,对同一信号源进行放大,在负载开路的情况下,测得甲的输出电压小,这说明甲的 B 。 A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小 19、要求组成的多级放大电路体积最小,应选 B 耦合方式。 A.阻容 B.直接 C.变压器 D.阻容或变压器 20、放大电路的三种组态( C )。 A. 都有电压放大作用 B. 都有电流放大作用 C. 都有功率放大作用 D. 都不是 21、一个放大器由两级相同的放大器组成,已知它们的增益分别为30dB和40dB,则放大器的总增益为( C )。 A. 30dB B. 40dB C. 70dB D. 1200dB 二.填空 1、PN结中扩散电流的方向是: 从P区到N区 ,漂移电流的方向是 从N区到P区 。 2、PN结的最大特点是 单向导电性 。 3、使PN结正偏的方法是:将P区接 高 电位,N区接 低 电位。 4、PN结正偏时,有利于 多数 载流子的运动,阻碍 少数 载流子的运行。 5、PN结反偏时,内电场与外电场的方向 相同

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