半导体雷射技术技巧.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 薄膜沉積可以分為三個步驟：成核、核團晶粒聚結以及連續薄膜成長。 第一階段的成核（nucleation），是在晶圓表面形成一個穩定的原子或分子核團。 第二階段為晶粒聚結，又可稱為島成長（island growth）。 第三階段，即成長為連續薄膜，沿著表面延伸形成固態薄膜。 化學性的沉積製程是將氣體來源產生化學反應而在表面沉積薄膜，而在這化學反應當中可以利用加熱的方式，外加能量用以加速反應。 化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)重要的觀念包含了使用化學作用或者熱分解來與外加氣體來源作用，而反應物必須亦為氣相的形式。 物理氣相沉積主要有三種製程：蒸鍍（evaporation deposition）、離子鍍（ion plating）與濺鍍（sputtering deposition）。 蒸鍍是指將蒸鍍源（沉積薄膜的材料來源）加熱蒸發直接凝結於晶圓表面而形成薄膜 離子鍍則是指在材料蒸發之後，在通往晶圓的途中經激發（如離子槍轟擊或輝光放電），使蒸發的原子產生離子化。 濺鍍是利用離子轟擊靶材，擊出靶材原子變成氣相並沉積於晶圓上；濺鍍具有廣泛應用的特性，幾乎任何材料均可沉積。 離子佈植(ion implant)是一種可控制的摻雜導入樣品以改變樣品電特性之方法，其屬