9FET放大电路实验报告orCAD.docx

实 验 报 告实验名称___FET放大电路分析 _____课程名称__电子电路计算机辅助分析_院 系 部: 电气与电子工程学院 专业班级：电子1301学生姓名：韩辉 学 号:1131230106同 组 人: 实验台号:指导教师：高雪莲 成 绩： 实验日期:华北电力大学一、实验原理FET放大电路的小信号分析输入端口：IG＝0输出端口：ID＝f（VGS，VDS） 对ID求微分，得： 令： 当工作在小信号时，Q点附近特性曲线可看作线性线段，所以有:所以，输入夸导gm为：输出阻抗rds为：FET输入和输出阻抗JFET输入阻抗109，输出阻抗为rds（通常20～100K）MOSFET输入阻抗1012～1015，输出阻抗为rds。FET的输入、输出电阻固定偏置输入：RG输出：RDAV：－10=-gm RD自给偏压RGRD－10=-gm RD分压偏置R1//R2RD－10=-gm RD共漏极电路RGRs//(1/gm)=1=gmRs (1+gmRs)共栅极电路Rs//(1/gm)RD10= gm RD漏极反馈电路RF/(1+gmRD)RD-10=- gm RD分压偏置R1//R2RD-10=- gm RD二、实验结果1.实验一 实验一的电路图如图9.1.1所示：图9.1.1 实验一的电路图实验一的参数设置如图9.1.2所示： 图9.1.2 实验一参数设置（1）电压增益电压增益的仿真结果如图9.1.3所示：图9.1.3 实验一电压增益的仿真结果由上述仿真结果可知：Av=V(out)/V(V1)=0.960（2）输入电阻输入电阻的仿真结果如图9.1.4所示： 图9.1.4 实验一输入电阻的仿真结果输入电阻的值等于输入端电压和支路电流比值，即Ri=V(v1)/I(C1)，由上述仿真结果可知：Ri =1M欧姆（3）输出电阻原电路图不带负载的情况如图9.1.5所示：图9.1.5 不带负载的情况输出电阻的仿真结果如图9.1.6所示： 图9.1.6 实验一输出电阻的仿真结果输出电阻的值等于输出端电压和支路电流比值，即Ro=V(v1)/I(C2)，由上述仿真结果可知：Ro =10000K欧姆2.实验二 （1）电压增益不带负载时的电路图如图9.2.1所示：图9.2.1 实验二不带负载时的电路图电压增益的仿真结果如图9.2.2所示：图9.2.2 实验二不带负载电压增益的仿真结果由上图可得在不带负载时的电压增益为： Av=7.75负载RL=10meg时的电路图如图9.2.3所示：图9.2.3 实验二负载RL=10meg时的电路图电压增益的仿真结果如图9.2.4所示：图9.2.4 实验二负载RL=10meg时的电压增益的仿真结果由上图可得在负载RL=10meg时的电压增益为： Av=7.75负载RL=10k时的电路图如图9.2.5所示：图9.2.5 实验二负载RL=10k时的电路图电压增益的仿真结果如图9.2.6所示：图9.2.6 实验二负载RL=10k时的电压增益的仿真结果由上图可得在负载RL=10k时的电压增益为： Av=6.47分析以上电压增益的仿真结果可得以下结论：负载大小对电压增益略有影响。（2）输入电阻不带负载RL时的输入电阻仿真结果如图9.2.7所示：图9.2.7 实验二不带负载输入电阻的仿真结果由上述仿真结果可得：在低频时，输入电阻Ri=V(v1)/I(C1)=988K欧姆；在高频时，输入电阻Ri=V(v1)/I(C1)=279欧姆。负载RL=10meg时的输入电阻仿真结果如图9.2.8所示：图9.2.8 实验二负载RL=10meg时的输入电阻的仿真结果由上述仿真结果可得：在低频时，输入电阻Ri=V(v1)/I(C1)=987K欧姆；在高频时，输入电阻Ri=V(v1)/I(C1)=279欧姆。负载RL=10k时的输入电阻仿真结果如图9.2.9所示：图9.2.9 实验二负载RL=10k时的输入电阻的仿真结果由上述仿真结果可得：在低频时，输入电阻Ri=V(v1)/I(C1)=987K欧姆；在高频时，Ri=V(v1)/I(C1)=293欧姆。由上述对不同负载的电压增益的仿真结果可见，负载对输入阻抗Ri的影响不大，故可以忽略不计。（3）输出电阻计算输出电阻时的电路图如图9.2.10所示：图9.2.10 实验二计算输出电阻时的电路图输出电阻仿真结果如图9.2.11所示：图9.2.11 实验二输出电阻的仿真结果由上述仿真结果可得：在低频时，输出电阻R0=V(v1)/I(C2)=1.975K。3.实验三实验三的电路图如图9.3.1所示：图9.3.1 实验三的电路图（1）电压增益由于负载对电压增益影响不大，故只分析了不带负载的情况。电压增益仿真结果如图9.3.2所示：图9.3.2 实验三电压增益的仿真结果由上述仿真结果可得：电压增益Av