10-12上第4章(未学)探究.pptVIP

本次课主要内容 4.1 概述 存储器的分类 存储器的主要性能指标 半导体存储器芯片的结构 4.2 常用存储器芯片的连接使用 4.2.1SRAM静态读写存储器 1. 6264 SRAM芯片概述 2.半导体存储器与CPU的连接 3. 存储器地址译码 (书171页 2.连接使用) 4.静态RAM连接举例 4.1 概述 存储器的分类 存储器的主要性能指标 半导体存储器芯片的结构 4.2 常用存储器芯片的连接使用（重点） SRAM静态读写存储器 1. 6264 SRAM芯片概述 2.半导体存储器与CPU的连接 3. 存储器地址译码 (书171页 2.连接使用) 4.静态RAM连接举例 只读存储器ROM EPROM EEPROM 其它存储器 双端口存储器芯片DS1609 FIFO(先进先出)存储器芯片DS2009 80x86及奔腾处理器总线上的存储器连接 8086的内存接口 4.3 动态读写存储器 4.4, 4.5, 4.6节不要求掌握（基础好同学自学） 第4章：教学要求 1. 了解各类半导体存储器的应用特点 2. 熟悉半导体存储器芯片的结构 3. 熟悉SRAM和EPROM的引脚功能(了解其它半导体存储器芯片的引脚功能) 4.掌握存储器芯片与CPU连接的方法(特别是片选端的处理)、计算地址范围、存储容量 5.书4.4, 4.5, 4.6节不要求掌握（基础好同学自学） 上次课回顾-----与前面所学知识的衔接 微型计算机基本结构 图: 微型计算机的硬件结构 8086CPU引脚线---外部特性 CPU引脚是系统总线的基本信号 可以分成三类信号 16位数据线：D0 ~ D15 20位地址线：A0 ~ A19 控制线： 读写控制引脚 ALE、M/IO*、WR*、RD*、READY INTR、INTA*、NMI，HOLD、HLDA RESET、CLK、Vcc、GND PC/XT总线信号(8088系统总线) 62个 地址线A19～A0：经过锁存输出的地址线 数据线D7～D0：8位双向数据信号线 读写控制线 BALE 缓冲地址锁存允许，指示CPU总线周期 IOR* I/O读 IOW* I/O写信号 MEMR* 存储器读 MEMW* 存储器写 (可屏蔽)中断请求线 IRQ2～IRQ7 6个 优先权顺序 IRQ2最高，IRQ7最低 外部中断源的可屏蔽中断请求信号经过8259中断控制器送CPU DMA传送控制线 DRQ1~DRQ3 DMA请求 DACK1~DACK3 DMA响应 AEN：地址允许，指示DMA总线周期 T/C：计数结束信号，表示DMA传送结束 8088存储器写总线周期 8088CPU的存储格式--小端存储方式 上次课回顾结束 4.1概述 存储系统的层次结构 存储系统的层次结构 寄存器 处理器内部的存储单元 高速缓存（Cache） 完全用硬件实现主存储器的速度提高 主存储器 存放当前运行程序和数据，采用半导体存储器构成 辅助存储器 磁记录或光记录方式 磁盘或光盘形式存放可读可写或只读内容 以外设方式连接和访问 存储系统层次结构 存储系统 容量越大越好 速度较快越好 价格（成本）越低越好 当前制造工艺的存储器件： 工作速度较快的存储器，单位价格却较高； 容量较大的存储器，虽然单位价格较低，但存取速度又较慢 一.半导体存储器的分类 半导体存储器的分类 1. 读写存储器RAM RAM特点：其中的内容可根据需要随时写入和读出，但断电后所存内容随之消失。 SRAM (静态RAM：Static RAM) 以触发器为基本存储单元 不需要额外的刷新电路 速度快，但集成度低，功耗和价格较高 DRAM(动态RAM：Dynamic RAM) 以单个MOS管为基本存储单元 要不断进行刷新（Refresh）操作 集成度高、价格低、功耗小，但速度较SRAM慢 常用内存条：SIMM （单列直插）和DIMM（双列直插）内存条 2.只读存储器ROM ROM的特点：正常工作时只能读出不能写入，断电时其中内容不会丢失 掩膜ROM：信息制作在芯片中，用户不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 二.存储器主要性能指标 主要性能指标 存储容量、速度（存取时间）、价格、可靠性、功耗等。 速度(存取时间) 指(存储器芯片所要求的)存取存储器芯片中某一个单元所需时间 CPU读写RAM时提供给RAM芯片的读(写)时间必须比RAM所要求的存取时间长. CPU正常情况下一次读(写)内存时间为4T 存储容量