TFT-LCDArray制程程序.ppt

Array 製程介紹By FA/CP  Array 製程介紹 何謂TFT-LCD 為何叫做Array Array製程的介紹 何謂 TFT-LCD * * 製程簡介 薄膜（Thin Film）區 黃光（Photo）區 蝕刻（Etching）區 測試（Array Test）區 LCD的動作原理 TFT LC Cs 保持電容 為何叫做Array Array是陣列的意思 RGB 與 Pixel(像素） 3.TFT：薄膜電晶體 4.解析度（如XGA） 1,310720 1024 1280 SXGA 786,432 768 1024 XGA 480,000 600 800 SVGA 307,200 480 640 VGA 總像素 垂直 水平 像素個數 解析度 一個單位的像素有 三個副像素（Sub-Pixel) Cell Area Thin Film Photo Etching ARRAY Array 製程簡介 薄膜（Thin Film）區 清洗機（Cleaner） CVD（化學氣相沈積） Sputter（濺鍍機） 共有三種主要機台 清洗機（Cleaner）： 在化學沈積（CVD）或濺鍍薄膜前清潔玻璃表面的油脂、微粒子或其它污染物流程如下： (PE)CVD（化學氣相沈積） 目的：沈積製程所需之非金屬薄膜 原理：1.進入之各種製程氣體因交流電場作用形成電漿（反應物） 2.反應物擴散並吸附於玻璃表面 3.化學沈積反應發生化學沈積反應發生 4.設備利用抽真空系統將未反應之反應物及副產物排出 薄膜 晶片 製程氣體 擴散作用 電漿 薄膜分子 化學沈積反應發生 氣相化學反應 Sputter（濺鍍機） 目的：利用物理氣相沈積的方式沈積製程所需之金屬薄膜 原理：利用解離氣體產生電漿，解離離子離開電漿藉暗區的電場 加速而對放 置於陰極的靶材進行轟擊，並將靶材原子擊出表面，並進入電漿中隨著 擴散過程的進行而被吸附到陽極的晶片表面，最後沈積成所需的金屬薄膜 陽極 晶片 靶材 陰極 DC濺鍍機的基本構造 真空 幫浦 製程氣體 原子 解離離子 二次電子 中性離子 電漿 暗區 黃光（Photo）區 上光阻機（Coater） 步進式曝光機（Stepper） 顯影機（Developer） 共有三種主要機台 光阻劑 ? 上光阻機（Coater） 目的：在成膜後的玻璃上覆上一層厚度均勻，附著性強，沒有缺陷的光 阻 ，使後續的曝光、顯影或背面曝光的製程能得到良好的圖案轉移 原理：廠內的塗佈機是利用旋轉塗佈 ( Spin coating ) 的方式在基板上塗上 一層厚度均勻約1?m的光阻，其主要是利用離心力的原理，當光阻被 滴到一旋轉的基板會因離心力的關係而向外緣擴散，透過轉速及時間 的配合，即完成整個塗佈的過程 步進式曝光機（Stepper） 目的：將光罩上的圖案正確轉移到基板上 原理：當基板在塗佈完光阻後，基板會進入步進式曝光機內進行曝光，利用平行 的紫外光經過光罩後，因為光罩上繪有不透光的圖形，因此圖形會完全的 轉移至玻璃基板上的光阻，照射到紫外光的光阻會產生化學反應，而後藉 由顯影過程將已分解的光阻去除後，即可於玻璃基板上得到如光罩上的圖形 已感光的光阻 紫外光 光阻 光罩 * *