ppt课件-第六章半导体界面问题概要.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Semiconductor Physics * * 栅介质SiO2层的隧穿电流 Semiconductor Physics * * 栅介质SiO2层的隧穿电流 Semiconductor Physics * * 热载流子注入（Injection of Hot Carrier） Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * §7 异质结 1、异质结的形成 由两种不同半导体材料组成的结，称为异质结。异质结的禁带宽度可能相同，也可能不同，我们主要讨论禁带宽度不同的情形。 异质结的形成通常是通过异质外延的方法制备的。经常形成超晶格结构，在半导体激光器和高迁移率晶体管（HEMT）领域有应用。 Semiconductor Physics * * 2、异质结的能带结构 异质结的能带结构与构成异质结