利用Snubber电路消除开关电源和ClassD功放电路中的振铃..docxVIP

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利用Snubber电路消除开关电源和ClassD功放电路中的振铃.

Maxim??设计支持??技术文档??应用笔记??供电电路? APP 6287关键词:?开关电源, Class D功放,振铃?应用笔记6287利用Snubber电路消除开关电源和Class D功放电路中的振铃Frank Pan, CPG部门高级应用工程师摘要:开关电源和Class D功放,因为电路工作在开关状态,大大降低了电路的功率损耗,在当今的电子产品中得到了广泛的应用。由于寄生电感和寄生电容的存在,电路的PWM开关波形在跳变时,常常伴随着振铃现象。这些振铃常常会带来令人烦恼的EMC问题。本文对振铃进行探讨,并采用snubber电路对PWM开关信号上的振铃进行抑制。?振铃现象在开关电源和Class D功放电路中,振铃大多是由电路的寄生电感和寄生电容引起的。寄生电感和寄生电容构成LC谐振电路。 LC谐振电路常常用两个参数来描述其谐振特性:振荡频率(),品质因数(Q值)。谐振频率由电感量和电容量决定:。品质因数可以定义为谐振电路在一个周期内储存能量与消耗能量之比。并联谐振电路的Q值为:,其中RP是并联谐振电路的等效并联电阻。串联谐振电路的Q值为:,其中RS为串联谐振电路的等效串联电阻。在描述LC电路的阶跃跳变时,常用阻尼系数() 来描述电路特性。阻尼系数跟品质因数的关系是:或。在临界阻尼(=1)时,阶跃信号能在最短时间内跳变到终值,而不伴随振铃。在欠阻尼(1)时,阶跃信号在跳变时会伴随振铃。在过阻尼(1)时,阶跃信号跳变时不伴随振铃,但稳定到终值需要花费比较长的时间。在图一中,蓝,红,绿三条曲线分别为欠阻尼(1),临界阻尼(=1),过阻尼(1)时,对应的阶跃波形。图一 不同阻尼系数对应的阶跃信号(从左至右分别为欠阻尼,临界阻尼,过阻尼时对应的阶跃信号)我们容易得到并联LC谐振电路的阻尼系数:。在我们不改变电路的寄生电感和寄生电容值时,调整等效并联电阻可以改变谐振电路的阻尼系数,从而控制电路的振铃。阶跃信号因振铃引起的过冲跟阻尼系数有对应的关系:。OS(%)定义为过冲量的幅度跟信号幅度的比值,以百分比表示。表一列出了不同阻尼系数对应的过冲OS(%)。图二 过冲图示表一: 不同阻尼系数对应的过冲OS(%)阻尼系数0.050.10.150.20.250.30.350.40.45过冲量85.4%72.9%62.1%52.7%44.4%37.25%30.93%25.4%20.6%阻尼系数0.50.550.60.650.70.750.80.850.9过冲量16.3%12.6%9.5%6.8%4.6%2.8%1.5%0.6%0.15%振铃的危害对于振铃,我们直观感受到的是示波器屏幕上的电压的波动。实际带来问题的通常是电路的电流的谐振。在图三所示的电路里面,当PWM开关信号V1在0V和12V切换时,流过电感L1和电容C1的谐振电流可以达到安培量级,如图四所示。在高频(图三所示电路的谐振频率为232MHz,开关电源和Class D电路里常见的振铃频率在几十兆到几百兆Hz之间),安培量级的电流,通过很小的回路,都可能造成辐射超标,使产品无法通过EMC认证。注:10米处电场强度计算公式为:,单位为伏特/米。其中f为电流的频率(MHz),A为电流的环路面积(CM2?),Is为电流幅度(mA)。图三 LC谐振电路图四 电容C1两端的电压和流过电容C1的谐振电流避免测量引入的振铃为了提高电路的效率,开关电源和Class D功放的PWM开关信号的上升/下降时间都比较短,常常在10ns量级。测量这样的快速切换信号,需要考虑到示波器探头,特别是探头的接地线对测量结果的影响。在图五的测量方法中,示波器探头的地线过长,跟探头尖端的探针构成很大的回路。捕获到的信号出现了很大的振铃,如图六所示。图五 示波器探头上长的地线会影响PWM开关信号的测量结果图六 图五测量方法对应的测试结果为了降低示波器探头对测量结果的影响,我们在电路板上焊接测量接地探针,并去除示波器探头上的地线,如图七所示。通过这种方法,我们可以大大降低示波器探头地线对测量引入的振铃。图八是使用这种方法捕获到的PWM开关信号的前后沿波形。图七 通过在PCB上焊接接地点改善测量结果图 八 图七测量试方法对应的测试结果开关电源和Class D功放电路中的谐振电路在开关电源和Class D功放电路中,芯片退耦电容到芯片电源引脚之间的PCB走线,芯片电源引脚到内部硅片之间的邦定线可以等效成一个寄生电感。在功率MOSFET截止时,功率MOSFET电极之间的电容 (Cgs,Cgd,Cds) 可等效成一个寄生电容。如图九所示。这些寄生电感和寄生电容构成了LC谐振电路。图九中的高端MOSFET导通,低端MOSFET截止时,可以等效成图十所示的LC谐振电路。为了提高电路的效率,当今芯片内部集成的功率MOSFET的都做得比较小,

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