十六章_MOS结构基础.pptVIP

第十六章 MOS结构基础 本章作业：16.1, 16.4, 16.8, 16.9, 16.13,16.15 16.2静电特性-定性描述 2外加偏置的影响 正常情况下，MOS电容背面接地，VG定义为加在栅上的直流偏置。 由于在静态偏置条件下没有电流流过器件，所以费米能级不受偏置的影响，且不随位置变化。 半导体体内始终保持平衡，与MOS栅上加电压与否无关 所加偏置VG引起器件两端费米能级移动：EFM-EFS=-qVG VG?0导致器件内部有电势差，引起能带弯曲。金属是等势体，无能带弯曲。绝缘体中的电场为匀强电场，电势和电势能是位置x的线性函数， VG? 0，绝缘体和半导体中的能带向上倾斜，反之，向下倾斜。 在半导体体内，能带弯曲消失。 特殊偏置区域 n型半导体 VG0 ,能带图如（a)所示，根据 在O-S 界面附近的电子浓度大于半导体体内的浓 度，称为“积累”。 VG0, (较小负偏置），电子的浓度在O-S界面附近降低，称为电子被“耗尽”，留下带正电的施主杂质。 若负偏电压越来越大，半导体表面的能带会越来越弯曲，在表面的空穴浓度越来越多，增加到图16.（e),(f)所示情况时：ps=ND, VG=VT时，表面不再耗尽，反型和耗尽的转折点 VGVT时, 表面少数载流子浓度超