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电力电子复习回顾 第二章 电力电子器件 一、电力电子器件概论 1、按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（　B 　） A 全控型器件 B 半控型器件 C 不控型器件 D 电压型器件 2、具有自关断能力的电力半导体器件称为( A ) A.全控型器件 B.半控型器件 C.不控型器件 D.触发型器件 3、下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件( ) A 二极管 B 晶闸管C 电力晶体管 D 逆导晶闸管du/dt太快，二是( C ) A.阳极电流上升太快 B.阳极电流过大 C.阳极电压过高 D.电阻过大 4、由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号( A )。 A.失去作用 B.需维持原值 C.需降低 D.需提高 5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B ) A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定 6、使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至___维持电流___以下。 7、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM_______UBO。 8、晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为__40°___。 9、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（　　B　）。 A.维持电流 B.擎住电流 C.浪涌电流 D.额定电流 10、决定触发脉冲最小宽度一个重要因素是( B )。 A. 维持电流IH B. 擎住电流IL C. 浪涌电流ITSm D. 额定电流 11、对于同一个晶闸管，其维持电流IH_______擎住电流IL。 12、KP100-12表示额定电流 100 A，额定电压 1200 V的普通型晶闸管。 13、晶闸管电流的波形系数定义为( A ) A. B. C.Kf =IT（AV）·ITm D.Kf =IT（AV）-ITm 14、在IT(AV)定义条件下的波形系数kf为( B ) A. π B. C. D.2π 四、门极可关断晶闸管 1、门极可关断晶闸管是一种____4______层半导体结构的三端器件。 2、要关断GTO，则需( B ) A 在门极加正脉冲信号 B 在门极加负脉冲信号 C 加强迫关断电路 D 加正弦波信号 3、GTO的电流关断增益βoff=( D )。 A. B. C. D. 五、功率晶体管 1、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( B ) A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截止 2、功率晶体管的二次击穿现象表现为( A ) A.从高电压小电流向低电压大电流跃变 B.从低电压大电流向高电压小电流跃变 C.从高电压大电流向低电压小电流跃变 D.从低电压小电流向高电压大电流跃变 3、功率晶体管的安全工作区范围由几条曲线限定( A ) A.4条 B.3 C.5条 D.2条 4、功率晶体管驱动电路中的抗饱和电路，用来减少晶体管的( A ) A. 存储时间 B. du/dt C. di/dt D. 基极电流 5、对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的( C ) A.导通 B.寿命 C.关断 D.饱和 （六）电力MOSFET管 1、电力MOSFET导通时工作在 可调电阻 区。 （七）IGBT 1、双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（　B　）。 A.GTO B.IGBT C.GTR D.SCR 2、IGBT是( ) A.电流驱动型元件B.电压驱动型元件 C.半控型元件D.不控型元件 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 5、在功率晶体管的主电路中，为了有效地抑制和，则应设置 ( D ) A.触发电路 B.控制电路 C.开关电路 D.缓冲保护电路 6、对功率晶体管设置_ 缓冲保护 电路，可防止过