第2章 常用半导体器件原理解析.ppt

第二章　集成运算放大器的线性应用基础 场效应管和晶体管的主要区别包括： N沟道耗尽型MOSFET （类似N沟道JFET） 恒流区电流方程 ［例4.3.7］二极管限幅电路如图 (a) 所示，其中二极管D1和D2的导通电压UD(on) = 0.3 V，交流电阻rD ? 0。输入电压ui的波形在图 (b) 中给出，作出输出电压uo的波形。 综合uo的波形如(c)所示，该电路把ui超出?2.3V的部分削去后进行输出，是双向限幅电路。 D2处于临界状态时，其支路两端电压为E+UD(on)=2.3V。当ui2.3V时，D2导通，uo=2.3V；当ui2.3V时，D2截止，支路等效为开路，uo=ui。所以D2实现了上限幅； 解：D1处于导通与截止的临界状态时，其支路两端电压为-E-UD(on)=-2.3V。当ui-2.3V时，D1导通，uo=-2.3V；当ui-2.3V时，D1截止，支路等效为开路，uo=ui。所以D1实现了下限幅； 图中,设二极管的交流电阻rD ? 0,导通电压UD(on)=0.7 V 限幅电路的基本用途是控制输入电压不超过允许范围，以保护后级电路的安全工作。 当-0.7Vui0.7V时，二极管VD1和VD2都截止，电阻R1和R2中没有电流，集成运放的两个输入端之间的电压为ui； 当ui0.7 V时，VD1导通，VD2截止，R1、VD1和R2构成回路，对ui分压，集成运放输入端的电压被限制在UD(on)=0.7V； 当ui-0.7V时，VD1截止，VD2导通，R1、VD2和R2构成回路，对ui分压，集成运放输入端的电压被限制在-UD(on)=-0.7 V。 该电路把ui限幅到0.7V到-0.7V之间，保护集成运算放大器。 图中,设二极管的交流电阻rD ? 0,导通电压UD(on)=0.7 V 当-0.7Vui5.7V时，二极管VD1和VD2都截止，ui直接输入A/D； 当ui5.7V时，VD1导通，VD2截止，A/D的输入电压被限制在5.7V； 当ui-0.7V时，VD1截止，VD2导通，A/D的输入电压被限制在-0.7V。 该电路对ui的限幅范围是-0.7V到 5.7V。 ［例4.3.8］稳压二极管限幅电路如图 (a) 所示，其中稳压二极管DZ1和DZ2的稳定电压UZ=5V，导通电压UD(on) 近似为零。输入电压ui的波形在图 (b) 中给出，作出输出电压uo的波形。 解：当 | ui | 1 V时，DZ1和DZ2都处于截止状态，其支路相当于开路，电路是电压放大倍数为 - 5的反相比例放大器，uo = - 5ui，uo最大变化到 ? 5 V；当| ui | 1 V时，DZ1和DZ2一个导通，另一个击穿，此时反馈电流主要流过稳压二极管支路，uo稳定在 ? 5 V。由此得到图 (c) 所示的uo波形。 图示电路为单运放弛张振荡器。其中集成运放用作反相迟滞比较器，输出电源电压UCC或 - UEE，R3隔离输出的电源电压与稳压二极管DZ1和DZ2限幅后的电压。仍然认为DZ1和DZ2的稳定电压为UZ，而导通电压UD(on) 近似为零。经过限幅，输出电压uo可以是高电压UOH = UZ或低电压UOL = - UZ。 3、电平选择电路 ［例4.3.9］(a)是二极管电平选择电路，其中二极管VD1和VD2均为理想二极管，输入信号ui1和ui2的幅度均小于电源电压E，波形如(b)所示。分析电路的工作原理，并作出输出信号uo的波形。 解：因为ui1和ui2均小于E，所以VD1和VD2至少有一个处于导通状态。 假设ui1ui2，则VD1导通后，uo=ui1，结果VD2上加的是反向电压，截止； 反之，当ui1ui2时，VD2导通，VD1截止，uo=ui2； 只有当ui1=ui2时，VD1和VD2才同时导通，uo=ui1=ui2。 uo的波形如(b)所示。该电路完成低电平选择功能，当高、低电平分别代表逻辑1和逻辑0时，就实现了逻辑“与”运算。 4、峰值检波电路 ［例4.3.10］分析图示峰值检波电路的工作原理。 解：电路中集成运放A2起电压跟随器作用。当uiuo时，uo10，二极管D导通，uo1对电容C充电，此时集成运放A1也成为跟随器，uo=uC?ui，即uo随着ui增大；当uiuo时，uo10，D截止，C不放电，uo=uC保持不变，此时A1是电压比较器。波形如图 (b) 所示。电路中场效应管V用作复位开关，当复位信号uG到来时直接对C放电，重新进行峰值检波。 4.4 双极型晶体管（BJT） NPN型晶体管 PNP型晶体管 晶体管的物理结构有如下特点：发射区相对基区重掺杂；基区很薄，只有零点几到数微米；集电结面积大于发射结面积。 原理结构 电路符号 (1)、发射区向基区注入电子 ? 电子注入电