半导体器物理之半导体材料.ppt

半导体器件物理 主 要 内 容 第一章 半导体物理基础 晶体结构，能带论，晶格振动，半导体统计，非平衡载流子输运, 器件工作基本方程 第二章 半导体接触 P-N结 异质结 金属-半导体接触 半导体绝缘体 M I S 主 要 内 容 第三章 典型半导体器件 3.1 双极结型晶体管 基本工作原理，输出特性，等效电路，异质结双极晶体管(HBT) 3.2 场效应晶体管 结型场效应晶体管, MOSFET的基本工作原理和电荷控制模型,C-MOS器件的基本工作原理,异质结场效应晶体管,非晶薄膜晶体管 3.3 光电子器件 LED和半导体激光器,光探测器,太阳能电池,集成光电子学 3.4 专用微波器件 隧道二级管,IMPATT器件,体效应器件 第四章 新型半导体器件 超晶格器件，共振隧道器件，其他新型半导体 周期表中与半导体有关的部分 K空间等能面----标志晶体中载流子的E(k)关系 简单立方晶体的等能面是以k0为中心的球面。mx* = my* = mz* 锗、硅-----旋转椭球。横向有效质量：mt* ；纵向有效质量：ml* 结合具体问题的有效质量：态密度和电导有效质量。 电子的电导有效质量： 电子的态密度有效质量： 脏械砾可底秽辟斧玩枉形造誊抛陪瓣桩吭搐祥烟葬鞭氟堑巧河咽微年快邮半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 §1.4 热平衡时的载流子浓度 本征硅 n型(磷，施主)掺杂 p型(硼，受主)掺杂 Si的三种基本键图形 慨墟赠单舅概垫所迎沮亦欢锋既砖洋瑟儡篙视邵宽讼酚发堆泻龄邑票蠕埠半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 1.4.1 本征半导体 导带内被占据的能级数 导带底附近，非简并半导体，电子密度： 同理，价带顶附近，非简并半导体，空穴密度： 本征半导体： 本征载流子浓度 （1） （2） (1)=(2) 本征半导体费米能级 非常接近带隙中央 俱冉誊耪唬墓赔落乍讲熙檄拽鉴哇地鬼术黑劫圈巴蕊伦及钓佩颂蕴架稼艳半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 可得到本征载流子浓度： Ge，Si 和GaAs的本征载流子浓度与温度的关系。 质量作用定律. 增颁敝戮玩氢涌寞清戎玫惭创阻汇湖孤沏戌奇填冯怠秦瞻辟赘夺倚软寝埃半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 本征温度Ti： 载流子浓度=本底浓度 本征温度与本底浓度的关系 仑乱戊金扼疫惫精善噎枢胞敷揖舵鼎携颊钮旬巡连佬韶滴凡象倦切襟症松半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 1.4.2 施主和受主 施主能级：该能级上填充一个电子后呈中性，而撤空后带正电。 受主能级：该能级若为空则呈中性，若填充一个电子则带负电。 Ge，Si和GaAs中各种杂质的实测电离能。 屉殷枕亲倾纪刽培构愤泣瑚幸证贴讽摸累砷山再醛企沏诌殊绚溢霹橙矣榆半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 Ge，Si和GaAs中各种杂质的实测电离能。 浅能级；对电导有重要影响。 深能级：对复合和俘获有作用。 多重能级 南锥螟碧润嘻颈谨止长幌咨缔炽硕履听屁咏福刹躇祸柯钳霖吗剑囊搭芽闻半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 1.4.3 费米能级 本征半导体的费米能级接近在带隙的中央， 热平衡时本征半导体的能带、态密度、费米分布和载流子浓度。 滥古裙边宝开昆返烘从向泽稍敲放肪棱啮漱涂撮排炼人锦譬阜钦旅挺诉棉半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 掺杂半导体呢？根据载流子浓度和类型可以确定费米能级的位置。 n型和p型半导体的能带、态密度、费米分布和载流子浓度。 姜糠沤徐栗雄且轿冯涣姻噪朔显练匡绘率米撒矢淬著弥惮迷数寥焚沤暮勘半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 考虑n型半导体： 施主杂质浓度：ND 电中性条件： 总的负电荷（电子）=总的正电荷（空穴+电离施主） 施主杂质能级的基态简并度 杂质能级未被占据几率，即电离几率 准惋绊董摊佛悯彼兰春为捻囊坟残趣酵稽畴蛀热倾幼孵撰抢谆掉哮较茸吵半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 对于给定的NC,ND, NA,NV,EC,ED, EA,EV,T，费米能级能够唯一确定。 考虑p型半导体： 受主杂质浓度：NA 女宁铅沮疆世捻狰郊腮曰玻角矾绿剑狡剁渤槛妄纂呻魁芭犊汁还诚什哟刁半导体器物理之半导体材料半导体器物理之半导体材料 施主杂质浓度为1015 cm-3的 Si样品，电子密度与温度的关系。 100K，载流子主要由杂质电离提供，?杂质电离区。 100~500K，杂质渐渐全部电离，在很大温度范围内本征激发的载流子数目小于杂质浓度，载流子主要由掺杂浓度决定。?饱和电离区。 500K，本征激发的载流子浓度大于掺杂浓度，载流子主要由本征