双向可控硅1.docVIP

双向可控硅mA级Ⅲ-10mA (包括版面2.11、2.24、2.52、2.66、2.81、3.0、3.28、3.52、3.9) 选用N型单晶片，晶向1,1,1面，片厚240-250μm，电阻率：45-48,48-52.晶圆直径100mm+0.3mm。 激光打标。 格式：版面积 批号 片号 字体：字高：2mm，字间距80%，仿宋体。 要求：字体清晰，与定位面齐平，据定位面边缘1mm左右。 氧化。 清洗 步骤 化剂配比 时间 要求 1号液 NH4OH：H2O2：DIH2O=1:2:5 10min 化剂配比正确、时间正确、温度80-85℃ 冲水 DIH2O 10min 时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂 2号液 HCl：H2O2：DIH2O =1:2:5 10min 化剂配比正确、时间正确、温度80-85℃ 冲水 DIH2O 10min 时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂 超声 　 5min 　 冲水 DIH2O 10min 时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂 甩干 　 　 晶圆表面干燥 装舟。用硅舟，每槽一片，定位面向上，刻字面向内。编号从炉口到炉尾由大到小排列。 进炉。将硅舟缓慢推入石英管道内，放在恒温区中间。 运行程序。 1150℃ 500℃ 500℃ 2h 4.5h 1h 4.5h 2h 2h N2:4L O2:4L 湿O2:2L O2:4L 湿O2:2L O2:4L N2:4L N2:4L 一次氧化 程序结束，出炉。将硅舟缓慢拉至炉口，冷却。放置在净化操作台上。 检验。氧化层颜色的一致性，无氧化层发白，发花现象，表面无腐蚀。前中后各取一片测SiO2层膜厚，厚度在1.6μm以上。做好记录。 装片盒。将氧化好的晶圆按顺序装入氧化专用片盒。 4.镓扩散 一、预扩 （1）装镓源。将镓源粉末放在承源器内，推入石英管内。 （2）装舟。将晶圆装在镓扩用石英舟上，定位面向上，每槽一片，刻字面向内。编号从炉口到炉尾由大到小排列。 （3）进炉。将石英舟缓慢推至恒温区，盖紧帽子。 （4）气密性检查。将石英帽上的气孔和鼓泡瓶连接，观察鼓泡瓶内气泡是否正常。 （5）运行程序 1205℃ 500℃ 800℃ 500℃ 3h 150-200min 2h 2h N2:1.5L/min,H2:140P/min 恒温时间根据实际情况 （6）出炉。 （7）检验。取出调试片，用HF漂去氧化层后，测R口，在120-140Ωcm，如有不均匀，报告工艺员。 二、镓再扩 （1）装舟。将晶圆装在镓再扩用硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口由大到小排列。 （2）进炉。将硅舟缓慢推入镓再扩用碳化硅管内，盖上帽子。 （3）运行程序。 1250℃ 600℃ 600℃ 4h 6.5-7.5h 8h