第5章：微机存储器(lyz)(v1.0)讲解.ppt

第5章：微机存储器 主讲老师：廉迎战 副教授 5，CPU与存储器的连结 1.)存储器的基本结构(一片) 2).地址线的连结(地址线数目取决于芯片的容量) 3).数据线的连结(数据线的数目取决于芯片的位数 4).控制信号的连结(读.写.片选) ROM只连RD,RAM连RD和WE,(最小方式读写信号由 CPU产生,最大方式由8288产生),片选信号由译码电路 产生。 5).CPU与存储器连结注意的问题 (1) CPU总线的负载能力 (2) CPU的时序与存储器存取速度的配合 * (3) 译码电路设计 （地址分配和片选） (4) 位扩展,字扩展,位字扩展 静态RAM 6264 6264的引脚功能及操作 6264RAM 电路设计 8088系统BUS 若CPU改用8088CPU,SRAM还用6116 多芯片位扩展、字扩展、位字扩展 若用2114（1K×4 bit）组成 1K内存（1K×8 bit） 位扩展 若用 4K×1bit的DRAM组成16K内存 位字扩展 动态RAM 2164 2164,4164的引脚功能及操作 5.3 ROM ROM一旦有了信息，就不能轻易改变，也不会在掉电时丢失，它们在计算机系统中是只供读出的存储器。 ROM器件有两个显著的优点： 1． 结构简单，所以位密度比可读/写存储器高。 2． 具有非易失性，所以可靠性高。 ROM可以分为4种： 1． 掩膜ROM或者ROM。 2． 可编程的只读存储器PROM (Programmable Read Only Memory)。 3． 可擦除可编程只读存储器EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)。 4． 可用电擦除的可编程只读存储器EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)。 5.3 ROM 一． 掩膜ROM 掩膜ROM是芯片厂家制造时生产确定，用户无法修改。 结构由MOS管构成。 4 * 4 ROM组成： 注意：连接管子 = 0 无连接管子 = 1 制造时二次光刻实现。 信息永久保存。 5.3 ROM 二．可编程的只读存储器PROM (Programmable Read Only Memory)。 用户编程一次的ROM，不能修改。 结构由可熔金属丝和MOS管构成。 单PROM组成： 注意： 熔丝连接 = “1” 熔丝不连接 = “0” 熔丝不能恢复。 三、可擦除、可编程只读存储器EPROM 1、 EPROM的工作原理 特点：信息通过电荷分布实现，编程实际是一次电贺的注入过程。编程结束，由于绝缘层的包围，注入电荷无法泄露。具有非易失性。 结构：2个MOS管组成。 编程： 高压源和编程脉冲作用下， 电子注入浮栅，形成导电沟道，从而 S-MOS导通，输出=0 字=1； 位=1；初始态为“1”。 恢复：用紫 外线照射，恢复S-MOS. 三、可擦除、可编程只读存储器EPROM 2、 2764芯片 DIP28 8K*8 工作方式：1）读方式：VPP=VCC=+5V -CE=-OE=0 2）输出禁止： -CE=0 -OE=1 3）备用方式：-CE=1 P功=25% 4）编程方式： VPP=+12~24 VCC=+5V -CE=0 -OE=1 -PGM=TTL负脉冲 5）编程禁止：-CE=1 6）校验：电源不变，-CE=0，-OE=0，-PGM=1：读出数据效验 7）擦除:紫外线照20分钟以上。 三、可擦除、可编程只读存储器EPROM 3、2764 EPROM扩展 三，可擦除，可编程的ROM（EPROM） 8086 CPU 与EPROM 2764（8K×16bit）的连结 四、可用电擦除、可编程只读存储器EEPROM 1、 EEPROM的工作原理 特点：信息可以按字节、页、片擦除和编程，既可以在编程器上，也可以在目标系统中。常用于存储系统参数或结果。具有非易失性。 结构：2个MOS管组成。 编程：在普通工作电压作用下，可以实现编程。 恢复：用电擦除恢复. 存取方式： 并行方式 串行方式 2、 2864芯片 DIP28 8K*8 工作方