半导体器件物理-MOSFET3导论.pptVIP

4.3 MOSFET 迁移率变化:速度饱和效应 VGS－VT0：弱反型区，ID与VGS指数关系(较小)， gm与VGS指数关系 VGS－VT0(较小)：强反型区，器件易发生夹断饱和， ID与VGS 平方关系，中电流， gm与VGS线性关系 VGS－VT0(很大)：器件很难发生夹断饱和，易发生速度饱和， 大电流，但跨导饱和。 模拟放大电路设计中：放大用MOSFET避免工作在速度饱和区， 因为跨导不变，消耗的电流（功耗）却在增加, 接近就OK，使gm较大 * * 4.3 MOSFET 阈值电压修正： VT与L、W的相关性 漏、源区扩散结深rj 表面空间电荷区厚度xdT n沟道MOSFET 短沟道 长沟道 n沟道MOSFET 窄沟道 宽沟道 * 4.3 MOSFET 阈值电压修正： VT随L的变化 利用电荷共享模型分析（实际MOSFET）： 源衬结和漏衬结的耗尽层向沟道区扩展 耗尽层内近S/D区的部分体电荷的电力线中止于源漏区 近似认为：左右下方两个三角形内的耗尽层电荷在VDB、VSB下产生， 只梯形内的空间电荷由VGS控制产生。 理想情况（长沟器件）：两侧三角形内空间电荷的量相对少，近似