半导体器件原理-第三章.3导论.pptVIP

* * §3-3 晶体管的电流电压方程 本节以缓变基区NPN 管为例，推导出在发射结和集电结上均外加任意电压时晶体管的电流电压方程。电流的参考方向和电压的参考极性如下图所示。 E B C IE IB IC VCE VBE VBC N N+ P + + + - - - 推导电流电压方程时，利用扩散方程的解具有线性迭加性的特点：方程在 “边界条件1” 时的解n1(x) 与在 “边界条件2” 时的解n2(x) 的和[n1(x) + n2(x)]，等于以 “边界条件1与边界条件2的和” 为边界条件时的解n (x) 。 1、集电结短路 ( VBC = 0 ) 时的电流 上式中，IES 代表发射结反偏，集电结零偏时的发射极电流，相当于单独的发射结构成的PN 结二极管的反向饱和电流。 于是可得三个电极的电流为： 2、发射结短路 ( VBE = 0 ) 时的电流 把发射区当作 “集电区” ，把集电区当作 “发射区” ，就得到一个 倒向晶体管，发射结短路就是倒向管的 “集电结短路” ，故可得： 上式中， ICS 代表集电结反偏，发射结零偏时的集电极电流，相当于单独的集电结构成的PN 结二极管的反向饱和电流。 αR 代表倒向管的共基极直流短路电流放大系数，通常比 α 小得多。 3、