华科模电--CH05-1场效应管放大电路.pptVIP

* * 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 5.0 场效应管的分类： 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号 2. 工作原理 （1）VGS对沟道的控制作用 当VGS ≤0时 d、s间加电压时，无电流产生。 当VGS 0时 产生电场 5.1.1 N沟道增强型MOSFET DS之间相当于两个反偏的PN结 ID=0 自由电子浓度增加 无导电沟道 未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当VGS VT时 当VGS VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。 VGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压 2. 工作原理 （1）VGS对沟道的控制作用 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 导电沟道相当于电阻将D-S连接起来， VGS越大此电阻越小。 2. 工作原理 （2）VDS对沟道的控制作用 ?靠近漏极d处的电位升高 ?电场强度减小 ?沟道变薄 当VGS一定（VGS VT ）时， VDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 整个沟道呈楔形分布 电流ID是否会随着 VDS的增加一直线性增长？ 当VGS一定（VGS VT ）时， VDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 当VDS增加到使VGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 2. 工作原理 （2）VDS对沟道的控制作用 在预夹断处：VGD=VGS-VDS =VT 预夹断后，VDS? ?夹断区延长 ?沟道电阻? ?ID基本不变 2. 工作原理 （3）VDS和VGS同时作用时 VDS一定，VGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。 以上分析可知 沟道中只有一种载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。 MOSFET是电压控制电流器件（VCCS），iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 MOSFET的栅极是绝缘的，所以iG?0，输入电阻很高。 只有当VGSVT时，增强型MOSFET的d、s间才能导通。 MOSFET与BJT有什么不同？ MOSFET只有一种载流子参与导电，而BJT有两种载流子参与导电 MOSFET比BJT输入电阻大 MOSFET是VCCS,BJT是CCCS 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。 没有导电沟道 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） ?n ：反型层中电子迁移率 Cox ：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容 本征电导因子 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2 有导电沟道且沟道未被夹断 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 由于vDS较小，可近似为 rdso是一个受vGS控制的可变电阻 ② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT） 是vGS＝2VT时的iD V-I 特性： 导电沟道被夹断以后 此时场效应管的V-I特性方程是怎样的？ 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 为什么不考虑输入特性曲线？ A B C D E 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 vGS0时，沟道变宽 vGS0时，沟道变窄， 当vGS=Vp时，沟道被夹断 iD=0,iG=0 结论：可以在正或负的栅源电压下工