半导体物理器件实验教材.docVIP

1方案选择： 产生调频信号的电路叫做调频器，对他有4个主要的要求： 已调波的瞬时频率与调制信号成比例变化。 未调制时的载波频率即已调波的中心频率具有一定的稳定度。 最大频偏与调制频率无关。 无寄生调幅或寄生调幅尽量小。 产生调频的方法主要归纳为两类： 1 用调制信号直接控制载波的瞬时频率——直接调频。 2先将调制信号积分，然后对载波进行调相，结果得到调频波——间接调频。 变容二极管调频的主要优点是能够获得较大的频移（相对于间接调频而言），线路简单，并且几乎不需要调制功率，其主要缺点是中心频率的稳定度低。 在满足设计的各项参数的基础上尽量简化电路。因此本次课程设计采用BB910变容二极管进行直接调频电路设计。 2调频电路设计原理分析 2.1 FM调制原理： FM调制是靠信号使频率发生变化，振幅可保持一定，所以噪声成分易消除。 设载波,调制波。 或，此时的频率偏移量△f为最大频率偏移。 最后得到的被调制波 , V m 随Vs的变化而变化。 为调制系数 2.2 变容二极管直接频率调制的原理： 变容二极管是利用半导体PN结的结电容随反向电压变化这一特性制成的一种半导体二极管，它是一种电压控制可变电抗元件，它的结电容Cj与反向电压VR存在如下关系： 式中，VD为PN结的势垒电压（内建电势差），Cj0为VR为0时的结电容，γ为系数，它的值随半导体的掺杂浓度和PN结的结构不同而异：对于缓变结，γ=1/3；突变结：γ=1/2;对于超突变结，γ=1~4，最大可达6以上。 图2.1 变容二极管的Cj-v特性曲线 变容二极管的Cj-v特性曲线如图2.1所示。 加到变容二极管上的反向电压包括直流偏压V0和调制信号电压VΩ(t)=VΩcosΩt，即 。 结电容在vR(t)的控制下随时间的变化而变化。把受到调制信号控制的变容二级管接入载波振荡器的振荡回路，则振荡回路的频率已收到调制信号的控制。适当选择调频二极管的特性和工作状态，这样就实现了调频。设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q处，曲线的斜率为 2.3三极管的参数 3 单元电路设计分析 3.1 LC振荡电路 本电路采用常见的电容三点式震荡电路实现LC振荡，如图3.1，简便易行，变容二极管电容作为组成LC振荡电路的一部分，电容值会随加在其两端的电压的变化而变化，从而达到了变频的目的。 Rc，Re，RB1，RB2设置LC震荡电路的静态工作点，L1，C1构成LC震荡电路，CC,DC接入LC振荡电路改变振荡频率构成调频电路。R1、R2、R3提供变容二极管工作所需的直流偏置。信号VΩ从C5接入，电感L2是一低通线圈，可以过滤掉信号的高频部分。图3.2为调频电路的交流等效电路。变容二极管的接入方式为部分接入，如果去掉与之串联的CC则为全部接入。 图3.1 调频信号产生电路 图3.2 三点式振荡电路 3.2 调制灵敏度 单位调制电压所引起的最大频偏称为调制灵敏度，以Sf表示，单位为 kHz/V，即 VΩm为调制信号的幅度；△fm为变容管的结电容变化△Cj时引起的最大频偏。∵回路总电容的变化量为 在频偏较小时，△fm与△C∑的关系可采用下面近似公式，即 ∴ p↑( △f ↑ ，△Cj↑( △f ↑。 调制灵敏度 式中，△C∑为回路总电容的变化 量；CQ∑为静态时谐振回路的总电容， 即 ∴ C1↓(Sf↑( △f↑ 调制灵敏度Sf可以由变容二极管Cj-v 特性曲线上VQ处的斜率kc计算。Sf越大，说明调制信号的控制作用越强，产生的频偏越大。 改变CC的值可以使变容二极管的工作点调节到最佳状态。 3.3 增加稳定度的措施： 震荡回路参数LC 显然LC如有变化，必然引起震荡频率的变化，影响LC飞变化的因素有：元件的机械变形，周围温度变化的影响，适度，气压的变化，因此为了维持LC的数值不变，首先就应选取标准性高的，不易发生机械变形的元件；其次，应尽量维持振荡器的环境温度的恒定，因为当温度变化时，不仅会使LC的数值发生变化，而且会引起电子器件的参数变化，因此高稳定度的振荡器可以封闭在恒温箱（杜瓦瓶）内，LC采用温度系数低的材料制成。 温度补偿法 使L与C的变化量与△L与△C的变化量相互抵消以维持恒定的震荡频率，其原理如下： 若回路的损耗电阻r很小，即Q值很高，则振荡频率可以近似的用回路的固有频率f0来表示。 由于外界因素的影响，使LC产生微小的变量△L、△C，因而引起振荡频率的变化为 若选用合适的负温度系数的电容器 （电感线圈的温度系数恒为正值）， 使得△C/C与△L/L互相抵消，则△f可减为零。这就是温度补偿法。 回路电阻 r的大小是由振荡器的负载决定的，负载重时，r