无精典课件机材料物理化学第8章.ppt

无机材料 物理与化学 2.1.1 PN结 PN结是半导体器件的最基本的结构要素。将P型半导体和N型半导体相互接触即可形成PN结。下面我们以硅为例说明P型半导体和N型半导体的概念。硅有4个价电子，能与邻近的4个硅原子形成共价键。这些电子在原子核的作用下处于束缚状态，但在一定的外场作用下会挣脱束缚成为自由电子，形成电子载流子。电子载流子的移动会在原来位置形成空穴，并形成空穴载流子。因此，硅半导体中存在电子和空穴两种载流子。不过常温下硅中的载流子较少，硅半导体导电性能的控制要靠掺杂来解决。人们把掺入磷、砷、锑等V族施主元素杂质形成的电子导电型半导体，称为N型半导体；把掺入硼、镓、铟等III族受主元素杂质形成的空穴导电型半导体，称为P型半导体。 将PN结适当组合，即可制成晶体管、可控硅管和集成电路（IC）。PN结的重要特性是具有整流作用，即电流只能沿着某一个方向流动（见图2.1）。 2.1.2 PN结型晶体管 晶体管是20世纪最重要的发明之一。尽管晶体管种类繁多，制造工艺多种多样，用途和功能五花八门，但晶体管的基本结构却是简单而共同的。PN结型晶体管的内部都有两个PN结。主要分为两种，即PNP型和NPN型。 晶体管的两个PN结共有三个区。对应三个区的引出线，分别称为发射极、基极和集电极。发射极和基极之间的PN结叫发射结，集电极和基极之间的PN结叫集电结（见图2.3）。 ? ? ? ? ? ? 图2.3 PNP型和NPN型晶体管的结构和符号 如图2.4所示，如果我们在发射极电路中施加一直流电源电压VEB并保持其不变，在该电路中串接一个待放大的交变信号电压Vs,并且在集电极电路中串接一个电阻R的话，当集电极电流的变化部分iC流过集电极电路中的电阻R时，就会在上面产生一个交变电压iCR。尽管iC 略小于iE ，只要电阻R的值比较大，就可以使iCR比信号电压Vs大很多倍。这表明，晶体管具有放大功能。实际上半导体收音机就是用晶体管放大信号的。 ? ? ? ? ? ? ? 图2.4 晶体管共基极电路放大原理图 晶体管放大电路除了上述共基极电路外，还有共发射极电路和共集电极电路。 ?2.1.2 结型场效应晶体管（JFET） JFET共有四个电极，其中，在P型半导体（N型时情况相似）两端各有一个称为“源”和“漏”的电极；P型半导体两侧则各有一个N型区和相应的称为“栅”的电极。如果在源和漏之间加上一个电压,源接电压正端，漏接负端，P型半导体的多数载流子空穴传导的电流就会在源与漏之间通过；在栅和源间加上反向电压VG,栅接电压正端，源接负端，因此没有电流通过栅和源之间的PN结。 当加大栅与源之间的反向电压VG时，两个PN结的耗尽层就会向P型区扩散，使从源到漏的电流通道变细，该电流通道的电阻就会随之增大，导致源与漏之间的电流ID减小。若减小反向电压VG，ID就会增大。 若在栅与源之间附加一个输入信号电压，工作电流就会随着信号电压变化，在串接的负载电阻上就会产生一个放大了的输出信号电压。这就是场效应晶体管的放大原理。如果在栅与源之间附加适当的忽大忽小的电压，使得从源到漏的电流通道忽通忽断，漏极输出电流也就会时有时无，在这种情况下，场效应晶体管就等效于一个电流开关? ? ? ? ? ? ?  图2.5 结型场效应晶体管(JFET)工作原理图 2.1.4 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） MOSFET是在JFET的基础上发展起来的，是构成集成电路的主要器件。其结构如图2.6所示。 ? ? ? ? ? 图2.6 MOS晶体管结构示意图 ? 在绝缘栅极上不加电压时，即使在源与漏之间加有电压，流过的电流也是非常小的（因为由N+区和P型硅片构成的两个PN结中总有一个被加上反向电压）。如果我们在绝缘栅极上施加一个适当程度的正电压，所形成的垂直电场就能把半导体表层的空穴全部驱至半导体表层下面。此时若继续增大电场强度，半导体中的电子就会在电场的吸引下移至表面层，这样在二氧化硅绝缘层下的源与漏之间，就会形成一个N型的电流通道。这种电流通道被称为沟道，电流可以从源经过N型沟道流至漏。因此栅极上所加电压的大小可用来控制漏电流的大小。 2.2.1 硅材料 硅是地壳外层含量仅次于氧的元素，约占地壳的25%。主要以氧化物和硅酸盐的形式存在。由于储量非常丰富，硅原料是半导体原料中最便宜的。 与锗相比较，硅有很多重要优点。硅的禁带宽度为1.1eV,锗只有0.72eV。因此，锗器件的最高工作温度只有85?C,而硅可以达到200?C。故在功率器件的研究中硅明显优于锗。硅的另一个重要优点是能在高温下氧化生成二氧化硅