14氮化物选编.ppt

氮化硅的增韧 纤维增强 晶须增强 自增韧：形成柱状β氮化硅 8.2.1 氮化铝粉末制备 Al2O3＋C+N2 ?AlN＋CO AlCl3＋NH3 ?AlN＋HCl Al+N2 ?AlN 工业上经常采用这种方法，放热反应，反应温度580－600℃，铝的熔点是660℃，反应温度容易超过铝熔点，导致铝凝聚，因此加入CaF2、NaF等作触媒，防止凝聚。 铝粉和有机氮化合物反应（二氰二氨或者三聚氰氨） 将铝粉和有机氮化合物1:1混合，通N2氮化，逐渐升温至1000℃生成AlN 8.2.2 氮化铝陶瓷烧结 反应烧结时将铝粉和AlN粉混合冷压成型，然后在氮气氛中加热，通过氮化反应得到AlN制品，这种方法获得的材料纯度高，保留一定的气孔率。 无压烧结时，在AlN中加入烧结助剂(Y2O3，Al2O3，SiO2，BeO，CaO等)，在1800℃左右烧结，使烧结助剂与A1N反应生成低熔点铝酸盐类液相以促进烧结，液相冷却后则生成铝酸钙或铝酸亿和玻璃相，可以提高坯体强度；有时也加入Fe，Ni，CD，Co，Mo等金属细粉，这些粉末在AlN坯体中均匀分布，起到弥散作用，可以提高坯体强度。 热压则在1800一2000℃的高温进行，在Ar气氛中保持1－2h，即可得到致密的制品。 NORTHWESTERN POLYTECHNICAL UNIVERSITY NPU 第八讲 氮化物结构陶瓷 8.1 氮化硅(Si3N4) 有?和?两种晶型，其中?是不稳定的低温型， ?是稳定的高温型，它们的晶体结构均为六方晶系，将?加热至1500℃转变为?，这种转变是不可逆的。 图8.1 氮化硅的晶体结构 SN4四面体结构 四面体排列 8.1.1 氮化硅粉料的制备 （1）直接氮化法 Si+N2 ? Si3N4 Si+NH3 ? Si3N4＋H2 （2）碳热还原氮化法 （第四讲中的氧化物还原法） SiO2+C+N2 ? Si3N4+CO （3）化学气相沉积法 SiCl4+NH3 ? Si3N4＋HCl (4) 热分解法 SiCl4在0℃干燥的己烷中与过量的无水氨气起反应，生成亚氨基硅（Si（NH）2），氨基硅（Si（NH）4），和NH4Cl沉淀，真空加热，再在高温惰性气体中加热，即可获得Si3N4粉 3Si（NH）2? Si3N4＋2NH3 3Si（NH）4? Si3N4＋8NH3 8.1.2 氮化硅陶瓷材料制备工艺 氮化硅制备方法及特点 氮化硅的共价键特点使得其自扩散系数小，难以烧结致密。一般采用反应烧结或者液相烧结。 氮化硅在1900℃易分解。 0.2 2.0 - 0.005 0.005 0.01 95 12 0.2 热分解 - 3 0.002 - 0.002 - 57 4 - 气相合成 0.9 2.0 0.003 0.01 0.2 - 98 - 0.9 碳热还原氮化 普通粉末 0.2 1.7 - 0.04 0.2 0.2 70-75 - 10 直接氮化 高纯微粉 0.15 2.0 - 0.03 0.1 0.03 90 - 0.5 直接氮化 C O Mg Ca Al Fe 备注 不纯物 α相含量 / % 比表面积 / m2·g-1 平均粒径 / μm 制造方法 反应烧结Si3N4 两步氮化法： Si+N2 ? Si3N4 1200－1300℃氮化得到α-Si3N4 1450℃氮化得到β Si3N4 1150-1200℃预氮化 素坯机械加工 1350－1450℃氮化 Si粉 成型 预氮化或者素烧 机械加工 氮化烧结 研磨加工 200目以上的粉，少量Fe、Al对氮化有益 氮化烧结影响因素 温度 970－1000℃氮与硅已经明显作用，但速率低 1450℃快速氮化 氮化速率 时间 抛物线规律 气氛 87.47 5：95 2 1350 86.43 10：90 2 1350 76.32 30：70 2 1350 55.79 50：50 2 1350 氮化率（％） H2 : N2（％） 时间（小时） 氮化温度℃ 少量H2加速了Si表面SiO2薄膜的剥落，加速了氮化反应。 但是H2含量太高则不利 催化剂 Fe2O3、BaF2、CaF2等都可以促进氮化，通常加入1－2％。 氮化机理 Fe2O3使Si表面SiO2膜破裂，Si与SiO2反应生成SiO，少量H2可增加SiO的浓度。 SiO+N2→αSiN SiO2+Si→SiO α相包含非常小的气孔，以非常薄的晶须状微晶存在。 β相：富Fe区在1350℃以下生成液相，由α相的溶解、β相再沉淀生成。 α相和β相的相对含量：缓慢的加热速率可促成α相的生成，β相的含量随氮气