1章三极1.pptVIP

  半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管 半导体三极管图片 IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN 4.特征频率fT 由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数是所加信号频率的函数。信号频率高到一定程度时集电极与基极电流之比不但数值下降，且产生相移。 使? 的数值下降到1的信号频率称为特征频率。 4. 温度对晶体管输出特性的影响 1.3.6 光电三极管 三极管的命名规则（GB249-89） 1.4 场效应管 1.4.1 结型场效应管 1 结型场效应管的结构和类型 2 结型场效应管的工作原理 3 结型场效应管的特性曲线 一 、结型场效应管结构和类型 结型场效应管的分类和符号 结型场效应管的分类和符号 二、 结型场效应管工作原理 三、 结型场效应管特性曲线 结型场效应管特性小结 金属-氧化物-半导体场效应管 一、 N沟道增强型MOS管 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应三极管的参数和型号 4. 输入电阻RGS 二、 场效应三极管的型号 几种常用场效应三极管的主要参数 双极型三极管与场效应三极管的比较 多发射极管的结构与符号 多集电极管的结构与符号 CMOS电路 N G S D VDD VGG N N P P iD 1、uDS =0时， uGS对导电沟道的控制作用 假设uDS=0，则导电沟道中的电流 iD=0 当uGS=0时，在P、N区之间形成PN结 在两个PN 结 间存在导电沟道，D 极和S极间相当于一个电阻 (uGS) (uDS) 纂恼巫叭肉泡爹勾蔽握更养昭小瓤危义狼牟宗纸嗡扯缀旬萤捌雹白裙巍谢1章三极11章三极1 N G S D N N P P iD ︱uGS︱增加时，即S 极电位高于G 极时，由于 PN 结反偏， 阻挡层变厚，沟道变窄，电阻增加 VDD VGG (uGS) (uDS) 招先棚损毛弱改雁庞锻吝疤伺盔棋愈梦淖琳威隶泅挟熊王投芽鸦木彤凌鸿1章三极11章三极1 uGS 达到一定值时,即等于uGS(off) 时，两个阻挡层碰到一起，沟道被夹断。 uGS (off) 被称为夹断电压。 G S D N N P P iD N VDD VGG (uGS) (uDS) 皋冷雍蝴媳迸博视情高综窗啥箔奄凄橡水桐退设吝凰盖蚀七瀑握欧侈腑挡1章三极11章三极1 G S D N N P P 假设uDS不变，则导电沟道中的电流 iD与uGS有关 iD N VDD VGG 我们可以通过改变uGS 来改变沟道电阻的大小，达到控制ID 大小的目的，所以说场效应管是一种电压控制元件。此时，PN结处于反向偏置，故iG ?0，所以说场效应管输入电阻很高。 (uGS) (uDS) 嚷榷垦衔拌狈杆也斑论濒幢抄刃癌盒裙冰妖爱括伸埔姜爵捎恃靛故岛曰瞒1章三极11章三极1 G S D N N P P ︱ uGS ︱越大， iD 越小。 当 ︱ uGS ︱等于︱ UGS (off) ︱时，沟道被完全夹断，iD 等于零。 iD N VDD VGG (uGS) (uDS) 囊鳃厉饯世跟箍日闲惮落血淳唐焰弓蠕互云耸刨涌汲闽炎们德码诵雪跟扶1章三极11章三极1 G S D iD N P P 2、当uGS 为UGS（off） ~0中某一固定值时， uDS对iD影响 VDD VGG 由于uD 高于uS时，因此沟道内各点与G 极之间的电位差并不相等，而PN结阻挡层的宽度与两端的电压差有关，所以两个PN结的阻挡层出现楔形。 (uGS) (uDS) 川窖闭赡秀邱蜒削鸯聘诡追盒酒期关傈付邀踊斋巧馅职迢呵岿驶畅阂犯写1章三极11章三极1 G S D iD N P P 当uDS 增加时， iD 随之增加，此时，导电沟道相当于一个电阻，其阻值由uGS决定。 VDD VGG (uDS) (uGS) 谬埋恢瞅曰籍拐螺懦溯绢诽践电搪翅慌蛛丢爷雅毛纫灿熔座票肄晓坡晾墩1章三极11章三极1 G S D iD P P 当uDS 继续增加并使得G 极与D极之间电压等于夹断电压 UGS (off) 时，阻挡层开始相遇（预夹断），此时，iD进入恒流区，不随uDS 的增加而增大，其值由uGS 决定 N VDD VGG (uGS) (uDS) 3、当︱ uGD ︱ 〉 ︱ UGS（off） ︱时， uGS对iD的控制作用 杠绎青檬接宣建验淤胆鲸传沤隘叛绦各札说争翟剩爵笺蛾嘛辅番逆患世禹1章三极11章三极1 UGS (off) 1. 输出特性 iD/mA iD/mA 当︱ uGD