磁控溅射原理浅析.pptVIP

磁 控 溅 射 原 理 outline 磁控溅射原理 磁控溅射分类 直流平面靶溅镀Al电极 中频旋转靶溅镀ZAO和ITO 磁控溅射原理 电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，并在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。 磁控溅射的优点 稳定性好 重复性好 均匀性好 高速 低温 影响溅镀效率的因素 磁场分布 溅射速率 沉积速率 工作气压 工作电压 溅射功率 靶基距 反应溅射中的金属靶中毒 金属靶表面不断与反应气体（ O2 等）生成化合物覆盖层从而使溅射速率大幅度下降甚至不溅射，称之为靶中毒。 过多的反应气体（O2等)使金属靶材表面被氧化。 任何不稳定因素（如：电弧）都能破坏系统的平衡，导致靶中毒。 在直流溅射中要非常注意溅射参数的控制。 使用射频磁控溅射可解决靶中毒问题。 使用中频磁控溅射可杜绝靶中毒问题。 射频（RF）磁控溅射 直流（DC）磁控溅射 直流（DC）磁控溅射 中频（MF）磁控溅射 一种典型的平面矩形靶 旋转靶的优点 靶材利用率最高可达 70% 以上 靶材有更长的使用寿命 更快的溅射速率 杜绝靶中毒现象 中频孪生旋转靶磁控溅