浙江省2012年4月自学考试线性电子电路试题.docVIP

浙江省2012年4月自学考试线性电子电路试题 课程代码：02340 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．晶体三极管工作在截止状态时，其两个PN结的偏置状态是(　　　) A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结正偏，集电结反偏 C．发射结反偏，集电结正偏 D．发射结反偏，集电结反偏 2．共发射极放大电路，若测得VCEQ≈VCC，则可以判断该晶体管工作在(　　　) A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．击穿状态 3．共模抑制比KCMR越大，表明电路(　　　) A．放大倍数越稳定 B．交流放大倍数越大 C．抑制温漂的能力越强 D．输入信号中的差模成分越大 4．场效应管是______器件。(　　　) A．电流控制电流 B．电压控制电流 C．电流控制电压 D．电压控制电压 5．若电路的开环增益为1000,反馈深度为10，则该电路的闭环增益为______dB。(　　　) A．10 B．20 C．40 D．60 B． C． D． 10．负反馈放大电路自激的条件是(　　　) A．T (jωosc)=1 B．T (jωosc)=-1 C．T (jωosc)=0 D．T (jωosc)=∞ 11．设计一运算电路实现方波——三角波的变换，应选用______实现。(　　　) A．同相比例电路 B．反相比例电路 C．积分电路 D．微分电路 12．对放大电路，开环是指电路(　　　) A．无反馈通路 B．无直流电源 C．无交流信号源 D．无负载 13．在外输入信号不变时，若引入反馈后，______，则电路引入了负反馈。(　　　) A．输出电流增大 B．输出电压增大 C．净输入信号增大 D．净输入信号减小 14．放大电路在信号的低频段时，放大倍数下降的原因是(　　　) A．耦合电容和旁路电路的存在 B．晶体管极间电容和分布电容的存在 C．晶体管的非线性的影响 D．放大电路的静态工作点设置不合理 15．固定偏置的共发射极放大电路，集电极偏置电阻Rc的作用是(　　　) A．放大电流 B．调节基极电流IBQ C．调节集电极电流ICQ D．防止输出信号交流接地，把集电极电流转换为电压 二、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1．半导体是______介于导体和绝缘体之间的物质。 2．半导体二极管最主要的特性是______。 3．当PN结外加反向电压时，耗尽层的宽度将______。 4．在集成运放中，由温度变化引起的零输入对应非零输出的现象称为______。 5．晶体管的频率参数fβ是β(ω)下降到β的______倍时所对应的频率。 6．在晶体管的三种基本组态放大电路中，______电路的输出电阻最低。 7．电路的开环增益为1000时,基本放大器的增益变化10%，反馈放大器的闭环增益相应地变化1%，则此时电路的闭环增益为______。 8．晶体三极管的三个电极对地电位分别为VA=3.0V，VB=2.8V，VC=1.0V，则该管的半导体材料是______。 9．放大电路中，引入直流负反馈的作用是______。 10．在放大电路中，要稳定输出电流，应引入______负反馈。 三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分) 1．MOSFET的转移特性如题三（1）图所示（其中iD的方向是它的实际方向），试判断该场效应管是增强型还是耗尽型，是N沟道还是P沟道，画出其电路符号，并求出夹断电压VP或开启电压VT。 2．如题三（2）(a)图所示电路，设集成运放是理想的，已知初始状态Vc (0)=0。 （1）写出Vo的表达式； （2）当输入电压波形如题三（2）(b）图所示，试画出Vo的波形，并标出Vo的幅值。 3．如题三（3）图所示某放大电路的电压传输特性，说明该电路实现的功能，求出输出与输入电压之间的运算关系，并求电压放大倍数Av。 四、分析计算题（本大题共5小题，每小题9分，共45分） 1．电路如题四（1）图所示，设所有电容对交流均视为短路。已知VBE（on）=0.7V，β=100，rbb′=200Ω。 （1）估算静态工作点（ICQ，VCEQ）； （2）画出小信号等效电路图； （3）求电压放大倍数AV和输出电阻Ro。 2．差动放大电路如题四（2）图所示，设两管的特性相同，β=60，rbb′=200Ω，VBE（on）=0.7V。求 （1）差模电压放大倍数Avd=Vo/Vi； （2）差模输入电阻Rid。 3．反馈放大电路如题四（3）图所示。 （1）指明级间反馈元件，并判别级间反馈类型和极性； （2）若电路满足深度负反馈的条件，求反馈系数F和电压增