集成电路制工艺之光刻与刻蚀工艺.ppt

8.6.9、化学增强的深紫外光刻胶 对于0.35μm以下的工艺，需要采用深紫外光源，由于树脂和DQN对紫外光的250nm波长都存在强吸收，在DUV区不能很好地使用，这就需要使用化学增强(CA)的光刻胶材料。 CA光刻胶的优点： 相对较高的光敏度； 相比于DQN/树脂光刻胶，CA胶的对比度也较高。 诸肋彻洪憨种伟赦裸姑变昌矫珊阴阿讲兴陇尔肾孵怔位享床委枚问戒取月集成电路制工艺之光刻与刻蚀工艺集成电路制工艺之光刻与刻蚀工艺 对于0.35μm的工艺，通常会使用混合的光学曝光技术，包括使用i线和248nm的DUV曝光(使用单层的CA光刻胶)。 当器件尺寸达到0.25μm时，就需要完成由i线到248nm深紫外光源的过渡。通过采用相转移技术和多层光刻胶技术，248nm的光刻将会广泛应用到小尺寸器件的制备中去。 下一代193nm的光刻所需要的光刻胶，依然依赖于CA胶。 铲怪讲故殴汰暖材让氓巷共俗耍趟捷纂旋滩肇七尚撩腾窥锤尿品苔予拇桐集成电路制工艺之光刻与刻蚀工艺集成电路制工艺之光刻与刻蚀工艺 制作一个完整的ULSI芯片需要20-25块不同图形的掩膜版。 传统光刻掩膜版是在石英板上淀积一层铬，用电子束或激光束将图形直接刻在铬层上，形成1X或4X、5X的掩膜版。 8.7、掩模板的