第5章半导体课件精品.pptVIP

第五章：快速热处理技术Rapid Thermal Processing 5.1.器件工艺对热退火的要求减小再分布 目的： 注入离子的电激活 快速热氧化 氧化层缺陷和界面态的消除 消除缺陷和应力 金属化（金属硅化反应） 玻璃介质（磷、硼硅玻璃）的熔流 覆盖层的固化 表面的平坦化 上述的热处理，多数属于后工序。因而，低温、短时退火被要求。为什么？ 5.２.快速热退火（ＲＴＡ） 机理（P。126-127） 系统：光照加热　（P。128-133） 要求：升降温速度快，升降温均匀 　 温度测量: P132） 热电偶：原理与缺点 塞贝克效应：原理，特点？ 光谱：原理，Exam6.1 声波：原理， 工艺特点： *再分布小 *低污染 *可以实现快速多温段退火 6.4 .　塑性应变问题：Fig6.10 6.5. 杂质的激活 短时间获得激活动能，但是无时间建立新的热平衡。 *超固溶度 *瞬时增强扩散 Reading material 6.6. 介质加工和硅化物的形成 *介质/半导体界面态的退火 *超薄介质的形成 *金属硅化物的再加工 * *