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第六章 一些复杂的晶体结构 6.1 氧化物青铜6.2 晶体结构的多型性 6.3 晶体的剪切构造6.4 调制结构6.5 微双晶结构6.6 反相结构6.7 晶体结构的密堆积 6.7 晶体结构的密堆积的定义 6.7.1 定义 由无方向性的金属键、离子键和范德华力等结合的晶体中,原子、离子或分子等微观粒子总是趋向于相互配位数高,能充分利用空间的堆积密度最大的那些结构。 密堆积方式因充分利用了空间,而使体系的势能尽可能降低,而结构稳定。 6.7.2 常见的密堆积类型 6.7.3 面心立方最密堆积(A1)和六方最密堆积(A3) 一层球堆积特点: 只有1种堆积形式; 每个球和周围6个球相邻接,配位数位6,形成6个三角形空隙; 每个空隙由3个球围成; 由N个球堆积成的层中有2N个空隙, 即球数:空隙数=1:2。 两层球的堆积情况图 三层球堆积特点 第二层堆积时形成了两种空隙:四面体空隙和八面体空隙。那么,在堆积第三层时就会产生两种方式: 1.第三层等径圆球的突出部分落在正四面体空隙上,其排列方式与第一层相同,但与第二层错开,形成ABAB…堆积。这种堆积方式可以从中划出一个六方单位来,所以称为六方最密堆积(A3)。 2.另一种堆积方式是第三层球的突出部分落在第二层的八面体空隙上。这样,第三层与第一、第二层都不同而形成ABCABC…的结构。这种堆积方式可以从中划出一个立方面心单位来,所以称为面心立方最密堆积(A1)。 六方最密堆积(A3)图 六方最密堆积(A3)分解图 面心立方最密堆积(A1)分解图 A1 型最密堆积图片 将密堆积层的相对位置按照ABCABC……方式作最密堆积,重复的周期为3层。这种堆积可划出面心立方晶胞。 A3型最密堆积图片 将密堆积层的相对位置按照ABABAB…方式作最密堆积,这时重复的周期为两层。 A1、A3型堆积小结 同一层中球间有三角形空隙,平均每个球摊列2个空隙。第二层一个密堆积层中的突出部分正好处于第一层的空隙即凹陷处,第二层的密堆积方式也只有一种,但这两层形成的空隙分成两种 A1、A3型堆积的比较 A1、A3两种最密堆积方式,每个球的配位数为12。 有相同的堆积密度和空间利用率(或堆积系数),即球体积与整个堆积体积之比。均为74.05%。 空隙数目和大小也相同,N个球(半径R);2N个四面体空隙,可容纳半径为0.225R的小球;N个八面体空隙,可容纳半径为0.414R的小球。 A1、A3的密堆积方向不同: A1:立方体的体对角线方向,共4条,故有4个密堆积方向(111)( 11)(1 1)(11 ),易向不同方向滑动,而具有良好的延展性。如Cu. A3:只有一个方向,即六方晶胞的C轴方向,延展性差,较脆,如Mg. 6.7.3 空间利用率的计算 空间利用率:指构成晶体的原子、离子或分子在整个晶体空间中所占有的体积百分比。 球体积 空间利用率= ? 100% 晶胞体积 A3型最密堆积的空间利用率计算 解: A1型堆积方式的空间利用率计算 6.7.5.体心立方密堆积(A2) A2不是最密堆积。每个球有八个最近的配体(处于边长为a的立方体的8个顶点)和6个稍远的配体,分别处于和这个立方体晶胞相邻的六个立方体中心。故其配体数可看成是14,空间利用率为68.02%. 每个球与其8个相近的配体距 与6稍远的配体距离 A2型密堆积图片 3. 金刚石型堆积(A4) 配位数为4,空间利用率为 34.01%,不是密堆积。这 种堆积方式的存在因为原 子间存在着有方向性的共 价键力。如Si、Ge、Sn等。 边长为a的单位晶胞含半径 的球8个。 4、简单立方堆积 1.在第一层上堆积第二层时,要形成最密堆积, 必须把球放在第二层的空隙上。这样,仅有半数 的三角形空隙放进了球,而另一半空隙上方是第 二层的空隙。 2.第一层上放了球的一半三角形空隙,被4个球 包围,形成四面体空隙;另一半其上方是第二层 球的空隙,被6个球包围,形成八面体空隙。 两层堆积特点 面心立方最密堆积(A一)图 1、被四个球包围的正四面体空隙 2、被六个球包围正八面体空隙 第三层 堆积方式有两种 1、突出部分落在正四面体空隙AB堆积A3(六方) 2、突出部分落在正八面体空隙 ABC堆积A1(面心立方) 在A3型堆积中取出六方晶胞,平行六面体的底是 平行四边形,各边长a=2r,则
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