Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏课件精品.pptVIP

CVD 原理 定义 气态物种输运 沉积过程热力学和动力学 CVD 技术分类 CVD 制备薄膜 CVD 技术的优缺点 * * 报告人：程士敏 导 师：李 灿 研究员 Seminar Ⅰ 化学气相沉积(CVD)原理及其 薄膜制备 2008. 05. 27 概 要 孟广耀，化学气相淀积与无机新材料，北京：科学出版社，1984 载气 载气 气态源 液态源 固态源 前驱物 气体 气相输运 反应 沉积 衬底 托架 卧式反应器 衬底 立式反应器 CVD (Chemical Vapor Deposition)是通过气态物质在气 相或气固界面上发生反应生成固态粉体或薄膜材料的过程 K.L. Choy. / Progress in Materials Science 48 (2003) 57–170 实验室用典型CVD设备沉积SiC涂层装置简图 气相前驱体供给系统 化学气相沉积系统 排出气控制系统 气态物种的输运 热力学位的差异－驱动力 (压力差、分压或浓度梯度和温度梯度) 气体分子定向流动、对流或扩散 气态反应物或生成物的转移 沉积速率、沉积机理和沉积层质量 开管气流系统中的质量输运 ——水平反应管中的气流状态 层流和紊流 通常用流体的雷诺数(Re)来判断 ρ、v、η分别为流体的密度、线流速