第4章激光器及光发射机.pptVIP

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  • 2017-02-03 发布于湖北
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第4章激光器及光发射机

1、激光器纵模的概念: 激光器的纵模反映激光器的光谱性质。对于半导体激光器,当注入电流低于阈值时,发射光谱是导带和价带的自发发射谱,谱线较宽;只有当激光器的注入电流大于阈值后,谐振腔里的增益才大于损耗,自发发射谱线中满足驻波条件的光频率才能在谐振腔里振荡并建立起场强,这个场强使粒子数反转分布的能级间产生受激辐射,而其他频率的光却受到抑制,使激光器的输出光谱呈现出以一个或几个模式振荡,这种振荡称之为激光器的纵模。 I=67mA P=1.2mW I=75mA P=2.5mW I=100mA P=10mW I=95mA P=6mW I=80mA P=4mW 随着电流增加,主模的增益增加,而边模的增益减小,纵模数减少,一个模式开始占优势,直到出现单个窄线宽的光谱为止。 2、纵模数随注入电流而变: 在众多的纵模中,只有那些频率落在增益介质的增益曲线范围内,且增益大于损耗的那些腔模才能在LD的输出中存在。 3、谱线特性: 在纵向,光波以驻波形式振荡。 谐振频率(正入射): m--正整数;L--腔长; n--材料折射。 相邻纵模的频率间隔: 增益曲线: ?0--增益谱中心波长,由增益介质的能级差决定;?--增益谱宽,由增益介质内原子热运动(多普勒加宽)和原子碰撞(均匀加宽)造成;g(0)--正比于粒子数反转的最大增益 4、峰值波长随温度变化: 半导体激光器的发射波长随结区温度而变化

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