半导体的CMP工艺介绍.pptVIP

FY Chang/CMP Introduction of CMP 化学机械抛光制程简介 （Chemical Mechanical Polishing-CMP) 目录 CMP的发展史 CMP简介 为什么要有CMP制程 CMP的应用 CMP的耗材 CMP Mirra-Mesa 机台简况 CMP 发展史 1983: CMP制程由IBM发明。 1986: 氧化硅CMP （Oxide-CMP）开始试行。 1988: 金属钨CMP（W CMP）试行。 1992: CMP 开始出现在 SIA Roadmap。 1994: 台湾的半导体生产厂第一次开始将化学机械研磨应用于生产中。 1998: IBM 首次使用铜制程CMP。 CMP制程的全貌简介 CMP 机台的基本构造 (I) CMP 机台的基本构造(II) Mirra 机台概貌 F-Rex200 机台概貌 终点探测图 （STI CMP endpoint profile） 为什么要做化学机械抛光 （Why CMP）? 没有平坦化之前芯片的表面形态 没有平坦化情况下的PHOTO 各种不同的平坦化状况 Step Height（高低落差） Local Planarity（局部平坦化过程） 初始形貌对平坦化的影响 CMP 制程的应用 前段制程中的应用 Shallow trench isolation (STI-CMP) 后段制程中的