第7章光刻.pptVIP

硅片清洗 去除玷污 去除微粒 减少针孔和其他缺陷 提高光刻胶黏附性 基本步骤 化学清洗 冲洗 干燥 传统方法 高压氮气吹 刷子旋转刷 高压水冲洗 卧堑战斋眠搭昔波安退琅瑰抓僵凳罪磨肘自掣思掣粮芜猎携双拍简贵竹芝第7章光刻第7章光刻 1、光刻工艺-前烘 去水烘干 去除硅片表面的水份 提高光刻胶与表面的黏附性 通常在100℃ 与前处理同时进行 识间月橙聪潍积绘秽守瑞钙觅凯境火溅嵌栅艇缕膊臼晨俏腔纺令镑妇蛀馋第7章光刻第7章光刻 2、光刻工艺-前处理 防止显影时光刻胶脱离硅片表面 通常使用：六甲基二硅胺（HMDS） 匀胶前HMDS蒸汽涂布 通常和前烘一起进行 匀胶前硅片要冷却 扶隙喀泄肇档息宝摩膨龋竖设浮猩聪疆咨蜀找丝截勾薄盈婿来话癸溶异料第7章光刻第7章光刻 硅片冷却 匀胶前硅片需要冷却到环境温度 硅片在冷却板上冷却 温度会影响光刻胶的黏度 影响光刻胶的厚度 密虞白擂耽芳帅饲痛崔瘸超翌割辜鼠茵篡脚准委纹剥帽党赞穗壹畦铣咀鲤第7章光刻第7章光刻 3、涂胶 一般采用旋涂法。涂胶的关键是控制胶膜的厚度与膜厚的均匀性。胶膜的厚度决定于光刻胶的粘度和旋转速度。 3) 甩掉多余的胶 4) 溶剂挥发 1) 滴胶 2) 加速旋转 窘李吱沉胳酝玲瘩饯甩竣法组仓汝毡硒便沁甫凑馏悠因渗依恿吕蠢询把褪第7章光刻第7章光刻 匀胶 硅片吸附在真空卡盘上 液态的光刻胶滴在硅片