1200V增强型碳化硅垂直结型场效应晶体管功率模块.docVIP

1200V增强型碳化硅结型场效应晶体管功率模块 1200V Enhancement-mode SiC VJFET Power Modules查祎英 胡冬青 译摘要最近的模块工作已经封装在SP1模中快速开关1200V、13mΩ、增强型半桥模块。这些模块36mm2 SiC VJFET和23mm2肖特基管的。在ID=100A下，2.7mΩ-cm2的导通电阻。开关测试采用了标准的双脉冲感性负载电路，在600V、100 A、温度分别为25和150的条件下，得到了历史最低的总开关损耗——100A、150下为1.25m。本开关性能、所栅极驱动电路推荐用的缓冲器。 模块栅极驱动开关耗缓冲器1200V and 13mΩ. The modules are parallel-connected with 36mm2 SiC VJFET and 23mm2 SBD. Under ID=100A, it achieves the specific on-resistance 2.7mΩ-cm2。. Standard dual-pulse inductive load circuit is applied to test the switch. Under the condition of 600V, 100A, with temperature respectively being 25℃ and 150℃, it achieves record-lowest general switch loss: with 100A, and 150℃, it is 1.25mJ. The article introduces in detail the function of the switch, the grid drive circuit applied, and the bumper recommended to achieve the rusults. Keywords: Module, SiC, Grid drive, Switch loss, Bumper ［中图分类号］TN86 ［文献标识码］ A 文章编号：1561-0349（2011）12- 1 引言 人们对SiC功率晶体管大部分应用，都功率降低成本、缩减系统面积、便于冷却为满足这种需求，Microsemi PPGSemiSouth实验室的常1200V JFET和1200V二极管封装在相位补偿半桥SP1中的1200V、13mΩ的半桥模块，未来更高功率应用的集成，如图1所示[1]。由于使用的一大优点是开关速度快和开关损耗低，所以为得到高开关频率而优化这种模块变得最为重要其他快速开关器件，减少电路寄生效应。由于器件固有电容低，电力电路寄生回路漏电感变得，需要特别关注。第一套模块半桥电路相位补偿。个9mm2(总共36mm2), 50mΩ和个11.5mm2(总共 23mm2 SiC), 30A肖特基势垒二极管。测试这些最初的模块使我们意识到以最大速度切换这些器件时可能会遇到的问题。因此，我们重点，任何可以让设计用JFET模块开关速度 图1SP1半桥、相位补偿模块每个开关4个50mΩ SiC JFET芯片，和2个30A反平行。使震荡最小化包括内缓冲器。 2 栅极驱动 前的刊物介绍一种专门为设计的优化二直流耦合驱动[2]。第一驱动最初在开通瞬态提供个高峰值电流脉冲给器件输入电容快速充电、从而非常快的开通速度。一旦器件完全转换入状态，第二输出电流减小到一个适度稳态电流值。同样的可用于JFET模块输出电流。为单片50mΩJFET设计的驱动在开通时提供了最大6A的峰值。因为此处描述的SP1模块每个开关4个50mΩ芯片，故而输入电容值将四倍于分立器件。因此，为了得到最快的开关速度，模块在开通时需要一个更高的峰值栅电流。图2提供了一个栅驱动的简化原理图，用以达到这卓越开关效果。第一驱动提供的高峰值电流脉冲，是用3个IXDD509驱动集成电路的分立驱动。这种组合能获得最大峰值27A的电流。个IXDD509驱动器，0.5Ω的栅开通电阻。这将把25下峰值电流限制在25A，如图3。改进模块栅极驱动的第二驱动IXDD509驱动，而不是像PNP BJT控制。分立器件，模块的稳态栅电流更高。 图2 SP1模块的25A栅原理图 图3 模块的二模块栅输出栅压和栅电流 3 测试和优化 当dV/dt超过20V/ns的时候，对第一个模块的测试取得的最初开关波形不甚理想。由于电力电路寄生和开关低电容之间的相互作用，在母线电压和反射回栅极的波形上测到明显的高频响与振荡。降低开通和关断时高频振荡进模块性能的一个方法是在关键区增加一些缓冲电路也就是在靠近模块开关的直接在栅-源终端之间直接跨的栅极电容，以增加能量