太阳能光技术1.ppt

预期在2009年美国将实现跳跃式的成长率，并吸收西班牙空出的部分安装容量。意大利在2008年也实现了增长，以258MW的安装量排名第五。一些市场分析师预测，意大利在2009年的安装量将翻番，达到500MW。 EPIA同时预测了从2009年到2013年的安装量，一位未署名的市场专家表示，尽管目前金融危机影响大容量的安装，2009年及以后仍有强劲的增长。EPIA指出，西班牙近期改变了支持政策，使2009年全球市场受到一定限制。光伏市场希望美国、德国、法国和意大利等市场能推动需求。 2009年安装量预计会增长到约7GW，2013年达到22GW。然而，这种快速增长取决于市场中不断加入的国家实施正确的政策。 “随着一些国家采取适当的扶持政策，多样化的市场正在形成，这对整个光伏产业和全球环境是非常好的消息，”EPIA总裁Winfried Hoffmann表示 （1）限边喂膜（Edge deifined film growth）带硅技术 该技术的工艺过程如下：采用适当的石墨模具从熔硅中直接拉出正八角硅筒，正八角的边长比10cm略长，总管径约30cm，管壁厚度（硅片厚）与石墨模具毛细形状、拉制温度和速度有关。 采用激光切割法将硅管切成10cmXl0cm方形硅片。电池工艺中采用针头注入法制备电池栅线，其它工艺与常规电池工艺相同。电池效率13％一15％。该技术目前属于ASE公司所有。 （2）枝蔓践状带硅技术 在生长硅带时两条枝蔓晶直接从坩埚熔硅中长出，由于表面张力的作用，两条枝晶的中间会同时长出一层如践状的薄片，所以称为践状晶。切去两边的枝晶，用中间的片状晶制作太阳电池。践状晶在各种硅带中质量最好，但其生长速度相对较慢。 我国在70年代初就拉制出无位错的践状晶。在80年代中期北京有色金属研究院在国家自然科学基金支持下开展了用碳网作支持物，从横向拉制硅带的工作，并研制出了设备。我国西北工业大学进行了滴硅旋转法——即用电磁法熔化硅、然后将硅液滴到旋转模具上以形成硅片的探索性研究，并达到了一定的水平。 （3）De1aware大学多晶片状硅制造技术 （特拉华州立大学 ） 该技术基于液相外延工艺，衬底为廉价陶瓷。陶瓷衬底可以重复使用。在电池制作中采用了Al吸杂和低温PECVD-Si3N4，钝化技术，后者提供了体钝化和发射区钝化。lcm2电池效率达到15·6％。De1aware大学和Austropower公司合作通过了中试产业化技术。 （4）小硅球太阳电池 硅球的平均直径为12mm，约有2万个小球镶在100cm2的铝箔上以形成太阳电池，每个小球具有p/n结，这么多的小球在铝箔上形成并联的结构，100cm2面积的电池效率可达到10％。原则上可使用冶金级的小硅球，一方面小硅球本身也容易进行提纯。 该方法在技术上具有一定的特色，但要降低成本在技术上仍有许多困难。该方法在90年代初发展起来，但近几年其研究与发展陷于停顿状态。我国复旦大学也曾对这种太阳电池工艺进行了探索性实验，掌握了基本技术的要点。 2．3太阳级硅 美国、德国、日本的许多家公司在80年代未停止了太阳级硅的研究，主要是因为技术进展缓慢，同时有大量低成本半导体工业次品硅可供利用。另一方面，太阳级硅生产的经济规模约为1000吨／年，成本可降到 20美元／kg，而目前光伏工业每年的需求量只有400一500吨。当光伏工业的用量达到一定的水平，而半导体工业为其提供不了低价的次品硅料时，太阳级硅才能进行正式生产。 一种目前制造太阳级硅的主要方法是使用精炼的冶金级硅，采用电子束加热真空抽除法去除磷杂质，然后凝固，再采用等离子体氧化法去除硼及碳，再凝固。采用水蒸气混合的冠等离子体可将硼含量降到0·lppm的水平，经过再凝固硅中的金属杂质含量可降到ppb的水平。 用此太阳级硅制成的常规工艺电池的最高效率可达到14％，高效工艺制的电池的最高效率可达到16％。此太阳级硅已进入每年生产60吨的中试阶段。 由于经费制约，我国太阳级硅的研究工作限于较简易的化学与物理提纯。 我国具有纯度高的石英砂资源，并有大量冶金级硅出口，采用冶金硅精炼的方法生产太阳级硅具有很大潜力。 3晶硅电池的商业化生产和市场发展 3．1商业化电池技术 （1）常规商业化电池：商业化晶硅电池主要结构是PN结。绒面、背场和减反射涂层被普遍采用，细栅金属化技术在不断改进，单晶硅商业化电池效率在13一16％之间。多晶硅电池工艺与单晶硅基本相同，但没有绒面技术。商业化多晶硅电池效率在11一14％之间。 （2）刻槽埋栅电池： BP公司利用UNSW技术生产的刻槽埋栅电池已经实现商业化，规模为2MW／年，电池效率15一17％之间，成本与常规电池基本相同。 3．2晶硅电池的产业和市场发展