第十一章薄膜淀积课件精品.pptVIP

第十一章 薄膜淀积 11.1 热氧化 11.2 介质淀积 11.3 多晶硅淀积 11.4 金属化 总结 11.1 热氧化 2.1 热氧化 11.1.1 生长的机制 下列为Si在氧气或水气的环境下，进行热氧化的化学反应式： Si（固体）+O2（气体）→ SiO2（固体） （1） 了解晶体和非晶体形态的基本差异 因此在氧化初期，表面反应是限制生长速率的主要因素，此时氧化膜厚度与时间成正比。 当氧化膜变厚，氧化剂必须扩散至与二氧化硅的界面才可反应，故其厚度受限于扩散速率，因此氧化生长厚度变成与氧化时间的平方根成正比，其生长速率的曲线为抛物线。 通常式（7）可表示成更简单的形式 x2+Ax=B(t+τ) (8) 式中A=2D/k，B=2DC0/C1，故B/A=kC0/C1.通过此关系式， 线性区为 x=B/A (t+τ) (9) 抛物线区为 x2=B (t+τ) （10） B/A 称为线性氧化速率常数，而B称为抛物线型氧化速率常数。在多种氧化条件下，实验测量结果与模型预测想吻合。进行湿法氧化时，初始的氧