1半导体器件概要.ppt

第一章 半导体器件 半导体器件是组成各种电子电路的基础，它是近代电子学的重要组成部分。 体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小等优点而得到广泛的应用。 §1.1 半导体的特性 硅或锗的共价键结构 硅或锗的共价键结构 二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开。 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。 结论 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是UBR的一半。 1.2.3 半导体二极管的主要参数 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管反向电流较小，锗管反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4. 正向压降UF 在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。小电流的硅二极管的正向压降约为0.6～0.8V；锗二极管0.2～0.3V。 以上均是