2016-2(第二章)氧化概要
2.6 氧化设备 1. 卧式高温炉 2. 立式高温炉 3. 快速升温炉 2.6 氧化设备 1. 卧式高温炉 2. 立式高温炉:节约净化室面积、提高自动化处理水平 2.6 氧化设备 立式高温炉系统 2.6 氧化设备 3. 快速升温炉 传统立式炉与快速升温立式炉的温度曲线对比 2.6 氧化设备 升温速率:15 ℃/min 降温速率:5 ℃/min 升温速率:100℃/min 降温速率:60 ℃/min 1、工艺腔 2、硅片传输系统 3、气体分配系统 4、温控系统 5、尾气系统 2.6 氧化设备 高温炉的组成: 2.7 快速热处理 快速热处理(RTA)是在非常短的时间内(几分之一秒)将单个硅片加热至400~1300℃温度范围的一种方法。 RTA的优点: 1.减少热预算(硅工艺过程中需要的热能:温度*时间) 2.硅中杂质运动最小 3.冷壁加热减少沾污 4.腔体小气氛洁净 5.更短的加工时间 RTA的应用: 1.离子注入退火,以减小注入损伤和电激活杂质 2.沉积氧化膜增密 3.硼磷硅玻璃(BPSG)回流 4.阻挡层退火(如TiN) 5.硅化物形成(如TiSi2) 6.接触合金 2.7 快速热处理 RTP系统: 2.7 快速热处理 已知线性-抛物线性模型为:t2ox+Atox=B(t +
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