模电晶体三极管.pptVIP

第四讲 晶体三极管 四、温度对晶体管特性的影响 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入、输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 一、结构 一、三极管的结构和符号 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 二、类型 有PNP型和NPN型；硅管和锗管；大功率管和小功率管；高频管和低频管。 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P VBB RB VCc IE 基区空穴向发射区的扩散IEP可忽略。 IBN 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。 二、晶体管电流放大原理 Rc B E C N N P VBB RB VCC IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICN+ICBO?ICN IBN ICN 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICn。 一、载流子传输过程 发射、复合、收集 复合形成电流IBN Rc IB=IBN+ IEP -ICBO IB B