低温外延制结晶硅太阳电池中发射极的快速热处理改性.docVIP

低温外延制结晶硅太阳电池中发 射极的快速热处理改性 崔冶青，高江，宁武涛，黄海宾，周浪 南昌大学 太阳能光伏学院/材料学院报告提纲 ( 背景介绍 ( 热处理改性的工艺对太阳电池性能的影响 ( 结 论晶硅太阳电池p-n结制备技术现状 现 状 优 点 缺 点 制备浅结时均匀性差， POCl3 扩散制结 成熟，业内主流 工艺成熟，成本低 重复性差 POCl3危险性大 离子注入 已有产线(Intevac 公司、应用材料公 司) 技术发展中 掺杂元素的分布精 确可控 转换效率高 价格高(目前？？) 设备稳定性有待提高 (目前？？) 磷酸喷涂+在线连 续扩散炉系统 已有产线(BTU公司) 技术发展中？？ 无毒，无污染， 均匀性好，自动化 程度高 转换效率略低 链条金属污染硅片？ 均匀性好，掺杂元 低温气相外延制结 发展中，实验室阶 段 素的分布精确可控 尚未发现？？？ 可集成选择发射极、 局域背电场等技术 低温气相外延制p-n结技术简介 ? 低温气相外延+高温快速热处理 两步法 获得所需掺杂元素浓 改善晶格质量，减少界面缺陷 度分布的晶化硅薄膜 提高掺杂活性低温气相外延制p-n结技术简介 ? 与POCl3扩散的工艺流程对比 清洗制绒等 沉积氮化硅等 POCl3 去磷硅 刻边 玻璃 扩散 清洗制绒等 沉积氮化硅等 低温气 快速热 刻边 处理 相外延热处理