高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法.docVIP

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: /publication/252365277 Fabrication of a high quality etching mask for two-dimensional photonic crystal structures Article in Journal of Semiconductors · September 2006 CITATION READS 1 32 7 authors, including: Weihua Han Yang Zhang Chinese Academy of Sciences University of Arkansas 96 PUBLICATIONS 199 CITATIONS 34 PUBLICATIONS 411 CITATIONS SEE PROFILE SEE PROFILE F. Yang Chinese Academy of Sciences 48 PUBLICATIONS 448 CITATIONS SEE PROFILE Some of the authors of this publication are also working on these related projects: Single photon detection using single-electron transistors View project nanoelectronics View project All content following this page was uploaded by Weihua Han on 26 January 2017. The user has requested enhancement of the downloaded file.  第 27 卷 　第 9 期 2006 年 9 月 半 　导 　体 　学 　报 C HIN ESE J OU RNAL O F S EMICONDU CTO RS Vol. 27 　No. 9 Sep. ,2006 3 高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法 1 ,- 　许兴胜1 　韩伟华2 　王春霞1 　张 　杨2 　杨富华2 　陈弘达1 杜 　伟 (1 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室 , 北京 　100083) (2 中国科学院半导体研究所 半导体集成技术工程研究中心 , 北京 　100083) 摘要 : 结合制作光子晶体结构的具体要求 ,研究了电子束曝光得到的电子束胶上 ( GaAs 衬底) 随实验条件变化的 图形. 结果表明 ,胶的厚度、曝光剂量、显影/ 定影时间等参数对图形的质量有重要影响. 通过合理优化这些参数 ,我 们得到了高质量的掩膜图形. 关键词 : 光子晶体; 电子束曝光; PMMA 掩膜 PACC : 4270Q 中图分类号 : TN30517 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 025324177 (2006) 0921640205 验参数. 1 　引言 2 　电子束曝光工艺流程及结果分析 近些年来光子晶体成为人们的研究热点之 一[1 ] . 由于光子晶体中光子禁带的存在 ,使得某些特 　　电子束曝光主要工艺可分为匀胶、曝光、显影和 定频率的光不能通过 ,这种特性可以用于实现多种 定影等几个步骤. 下面对影响光子晶体图形质量的 具有优异特性的光电子器件 ,如光子晶体激光器、光 主要因素以及结果分别进行说明. 子晶体大角度弯曲波导等. 高质量光子晶体的制作 是决定光子晶体能否实现应用的关键. 二维平板结 2. 1 　匀胶 构光子晶体是目前研究的重要方向之一. 二维平板 电子束曝光大多使用聚甲基丙烯酸甲酯 (p oly2 结构的光子晶体是指在平面内利用光子晶体的带隙 met hyl met hacrylate ) 作 为 掩 膜 胶 , 一 般 称 之 为 特性对光进行控制 ,在垂直于平面的方向上利用高 PMMA 胶. 该胶在存放和使用时都是按一定的浓度 [2 ] . 在某些特定的领 溶解在有机溶剂中. 实验中我们使用的是 Süss 80T2 折射率波导层将光限制在其内 域中其功能完全可以代替三维光子晶体 ,而加工又 型匀胶机 ,转速、时间都可以自行设定. 同种胶在不 相对简单得多. 现阶段 ,制作二维光子晶体的一种重 同的转速下形成胶层的厚度是不一样的 ,每种胶都 要加工方法就是曝光同干法刻蚀相结合. 加工小尺 有一个厚度随转速变化的曲线图 ,见图 1. 寸的(晶格常数在百纳米量级)