数字集成电路_4课题.ppt

第四章 MOS反相器电路 4.1 电压传输特性 4.2 瞬态特性 4.3 电阻负载反相器的设计 4.4 NMOS晶体管作为负载器件 4.5 CMOS反相器 4.6 伪NMOS反相器 4.7 反相器的尺寸确定 4.8 三态反相器 4.1 电压传输特性 4.1 电压传输特性 4.1 电压传输特性 4.2 噪声容限的定义 单源噪声容限（SSNM） 与单个噪声源有关，对后面各级逻辑门都有影响 衡量标准：单级反相器在后面各级都能恢复其正确值（即再生能力）时所能承受的最大噪声值 反相器的单源噪声分析 反相器链中的噪声传播 图解法计算SSNM 多源噪声容限（MSNM） 多源噪声容限（MSNM） 无噪声系统的反相器输出方程式： 加入噪声vn后，输出为 输出函数的泰勒级数展开： 用单位增益点定义的噪声容限 4.2:瞬态特性 tf 输出电压从摆幅的90%降到10%的时间 Tr 输出电压从摆幅的10%升到90%的时间 Tpf 输入阶跃处 t1 时刻到输出电压降至50% Tpr 输入阶跃处 t2时刻到输出电压升至50% 瞬态特性 下降时间 瞬态特性(下降时间) 反相器下降时间分两部分一部分是Cout从VOH---VOL(nS);另一部分沟道电子渡越时间(pS) 只考虑放电时间,负载管的漏电流远小于ID 瞬态特性(下降时间) 瞬态特性(下降时间) 瞬态特性(下降时间) 瞬态特性(下降时间) 上升时间 瞬态特性(上升时间) 上升时间,是对电容充电过程 从10%----90% 瞬态特性(下降延迟时间) 瞬态特性(下降延迟时间) 瞬态特性(下降延迟时间) 瞬态特性(上升延迟时间) 功率延时乘积 要提高反相器的工作速度,减少延迟时间,在一定输出等效电容的情况下,要增大输出电容放电和充电电流, 增大充电电流意味着增大负载管的功耗 增大放电电流意味着增大驱动管的功耗 提高速度和降低功耗是一对矛盾 用tpPav来作为电路性能的参数 功率延时乘积 4.3 电阻负载反相器的设计 4.3 电阻负载反相器的设计 4.3 电阻负载反相器的设计 电压传输特性中的五个关键点： VOH VOL VIH VIL VS 电阻负载型MOS反相器的瞬态特性 电阻负载型MOS反相器的瞬态特性 电阻负载型MOS反向器的瞬态特性 电阻负载型功率延时乘积 电阻负载型功率延时乘积 电阻负载型功率延时乘积 电阻负载型总的功率延时乘积 电阻负载反相器设计 电阻负载反相器设计 电阻负载反相器设计 电阻负载反相器设计 电阻负载反相器设计 电阻负载反相器设计 电阻负载反相器设计 例子:电阻负载反相器的设计 例：对于一个如图所示的反相器，给定参数如下，确定其多源噪声容限。 4.4 NMOS晶体管作为负载器件 饱和增强型负载NMOS反相器 饱和增强型负载NMOS反相器 饱和增强型负载NMOS反相器 例：计算饱和增强型负载NMOS反相器的输出高电平VOH。0.13μm工艺参数如下： 2|ФF|=0.88V，γ=0.2V1/2， VT=0.4V，VDD=1.2V 饱和增强型负载NMOS反相器 缺点： 输出高电平VOH不等于VDD 功耗大（输出为低电平时，电路中存在直流通路） 增强型MOS负载反相器 电阻型负载占用面积大;限制了使用,用NMOS晶体管代替线性电阻。 负载管与驱动管采用同样的制作工艺,工艺参数β相同。 驱动管:VDSD、VGSD、VTD、（W/L）D。 负载管:VDSL、VGSL、VTL、（W/L）L。 适当选择偏置，负载管可以工作在饱和与非饱和状态，分别称为饱和与非饱和增强型NMOS反相器 增强型MOS负载反相器 增强型MOS负载反相器 驱动管与负载管在同一衬底上 驱动管的源极与衬底电位相同，负载管的源极与衬底的电压VSBL=VOUT，从而引起负载管的偏置效应。使负载管阈值电压是VOUT的函数 分别讨论两种情况：负载管饱和与非饱和 饱和增强型MOS负载反相器 饱和增强型MOS负载反相器 饱和增强型MOS负载反相器 饱和增强型MOS负载反相器 饱和增强型MOS负载反相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载反相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载反相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载反相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载反相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载反相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载反相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载反向器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载反相器 确定V0H