【2017年整理】半导体基础知识.docVIP

半导体基础知识 一．教学目标 (1) 知识目标：(2) 能力目标(3) 情感目标：通过的对比，学生调动学生学习数学的积极性 三．教学难点 1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电； 2、掺杂半导体中的多子和少子； 3、PN结的形成。 四．教学方法 演示法、讲授法 五．教学时数 3学时。 六．教学过程 1.新课导入 在本节课中，教师利用电子元件在日常生活中的应用（声光控开关、红绿灯、玩具等）引出本课的内容——电子元件半导体。这样会让学生感觉到二极管在生活中的重要性，激发学生探究新知的欲望。 2.新课讲解 2.1 本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 一、导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 。 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 三、本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。热力学温度0K时不导电。 四、本征半导体中载流子的浓度 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 2.2 杂质半导体 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材料。 一、N型半导体 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。 　　电子称为多数载流子(简称多子)， 　　空穴称为少数载流子(简称少子)。 5 价杂质原子称为施主原子。 二、 P 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 3 价杂质原子称为受主原子。 空穴浓度多于电子浓度，即 p n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。 2.3 PN结 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 一、PN结的形成 半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。同一块半导体单晶上形成P型和N型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区（亦称为耗尽层或势垒区）的宽度基本上稳定下来，PN结就形成了。 二、 PN 结的单向导电性 1. PN结 外加正向电压时处于导通状态，又称正向偏置，简称正偏。 在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。 2. PN 结外加反向电压时处于截止状态(反偏) 反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内电场的作用；外电场使空间电荷区变宽；不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩散电流，电路中产生反向电流 I ；由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。 综上所述： 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 三、 PN 结的电流方程 PN结所加端电压u与流过的电流i的关系为 四、PN结伏安特性 PN结伏安特性方程： 式中：Is为反向饱和电流；UT为温度电压当量，当T＝300K时，≈26mV 当u＞0且u 时，，伏安特性呈非线性指数规律 ； 当u＜0且︱u︱时，，电流基本与u无关；由此亦可说明PN结具有单向导电性能。 PN结的反向击穿特性：当PN结的反向电压增大到一定值时，反向电流随电