第三章 与温差电相关的理论.pptVIP

绝大多数半导体温差电材料都是固溶体合金材料，因此，合金散射也是载流子散射机制中不可忽略的一种。 格利克斯曼((汕cksman)研究了SiGe合金中合金散射的影响【20】，发现其迁移率随温度的变化规律为T-0.7—T-0.8，与理论结果较为接近。 然而，埃伦赖克对于InAs—InP合金的研究则说明：在室温附近。该合金系统中合金散射对迁移率的影响很小。 载流子对载梳子的散射本身并不直接影响载流子系统的迁移率，因为经过这种散射后，载流子系统的总动量保持不变。 但由于这种散射能使系统内动量进行重新分布，使其他散射机构对重新分布的载流子系统的作用有所改变。 例如，离化杂质散射对于能量较低的载流子的作用比能量高的载流子更大，散射几率更高，因而能量较高的载流子比能量低的载流子具有较长的平均自由程。 若载流子之间存在相互散射，载流子的能量分布会改变，能量较高的载流子数目会改变．从而导致离化杂质对载流子散射的平均效果发生了变化。 赫林(Herring)【21】的研究结果指出，对于离化杂质离子散射为主要散射机制的材料，载流子散射的存在，可以使迁移率降低到没有这—散射影响存在时的0．3%。 而对于材料中主要散射机构为声子散射的情况，载梳子散射的影响仅使迁移率降低到88％。 载流子—载流子散射的影响还与简并化的程度、温度等因素有关。 4.载流子散射 除了上述几种主要的载流子散射机构外，还存在中性杂质【22】、位错【23,24】、晶界【25】等各种缺陷散射。 对温差电材料而言，通常情况下这些散射都是被认为不起主要散射作用而往往被忽略不计。 最后，作为本节的小结，表3．1列出了相应于几种主要载流子散射机制的弛豫时间和相应迁移率对能量和温度的依赖关系。 表3．1 各种散射机构下的弛豫时间和迁移率对载流子能量与温度关系 5．其他散射机构 根据富里叶定律，某点的热流密度w与该点的温度梯度成正比，即 w＝—KDT (3．44) 式中，K为比例常数．数值大小取决于固体导热性能的好坏．称为热导率。(3.44)式为固体中热传导的宏观唯象描述。 热传导是热能在固体内的输运过程。从微观的角度看，这个输运过程主要是通过载流子的运动和晶格振动实现的。对于处在本征激发区的半导体材料，电子—空穴对形成的双极扩散也对热能输运有所贡献，因此，半导体中热导率通常是上述三个热能输运机构贡献之总和，即 K ＝ Kl 十 Ke + Kb (3.45) 式中，Ke和Kb分别为载梳子和双极扩散的贡献，它们实际上都是由载流子沿温度梯度的运动而引起的；Kl则是由于晶格原子的振动及其相互耦合而引起的热能传递。 从3.1.2节可知，晶格振动形成的格波具有量子化持征，因此，这一过程可以处理为携带热能的声子沿温度梯度运动过程。 3．3 固体中的热传导 引入声子慨念后，热能从高温端到低温端的传输可简单地看成是携带热能的声子从—端运动列另一端。 如同载流子在晶格中运动—样。声子的运动也不是无障碍的直线运动，而是受到晶格中各种散射机制的作用。因此，对热传导的研究实质上是对声子碰撞过程的研究。 假设声子在两次散射间的平均自由程为l．借用气体分子运动论中热导率的描述【27】，固体中的晶格热导率Kl可类似地表表示为 式中，cv为定容比热；vs为声子的运动速度。显然，声子的平均自由程的大小将由晶体中的散射机制决定。因此，要建立一个能够反映晶格热传导微观持性的理论，必须对声子的主要散射机构有所了解。 1．声子的散射机构 半导体温差电材料中声子的散射机构主要包括声子-声子散射、晶体缺陷对声子的散射、晶界散射及载流子对声子的散射。其中声子—声子散射是晶格振动的固有特征，即使在晶格结构完整的晶格中也是不可避免的。而晶体缺陷、晶界及载流子的散射则是结构非完整性的表现。 3．3.1 晶格热传导 （3.46） 晶格振动理论的一个基本假设是晶格原子在其平衡位置附近做简谐振动，振动在晶体中的传播用平面波描述，每个波是独立的，相互之间没有干扰和能量交换。 在实际晶体中的晶格原子振动，当温度较低时，非常接近于这个假设，格波之间耦合很小、几乎不存在能量交唤。但随着温度的升高，晶格原子振动的非简谐项将随之增加，格波之间的相互耦合加强，出现显著的能量和动量文换。 根据声子的定义，这个交换可以视为吸收或发射声子的散射。 在声子—声子散射过程中，三声子散射过程尤为重要，这个过程实际上是两个声子相互作用后产生第三个声子的过程，即