半导体激光器原理.docVIP

半激光器原理 一、半激光器的特征 　　半激光器是用半GaAs）、硫化CdS）、磷化(InP)、硫化(ZnS)等。激 　　半　　半 二、半 　　GaAs）激光器 　　1．注入式同 　　（1）半 　　（2）p-n结。19－24）。 19－24 　　有施主能n型半p型半n型半p型半n型半p型半 　　半n型2－5）×1018cm-1；p型1－3）×1019cm-1。 　　在一p型n型p-n结。其交界面处将形成一空间电荷区。n型半p区扩散，而p型半n区扩散。这样一来，结构附近的n型p型n区指向p区的电场，称为自建电场。此电场会阻止电子和空穴的继续扩散（见图19－25）。 19－25 　　（3）p-np-n结的半导体材料上加上正向偏压，p区接正极，n区接负极。显然，正向电压的电场与p-n结的自建电场方向相反，它削弱了自建电场对晶体中电子扩散运动的阻碍作用，使n区中的自由电子在正向电压的作用下，又源源不断地通过p-n结向p区扩散，在结区内同时存在着大量导带中的电子和价带中的空穴时，它们将在注入区产生复合，当导带中的电子跃迁到价带时，多余的能量就以光的形式发射出来。这就是半导体场致发光的机理，这种自发复合的发光称为自发辐射。　　要使p-np-n结的电流足够大（如30000A/cm2）。p-n结的局部区域内，就能形成导带中的电子多于价带中空穴数的反转分布状态，从而产