光源和光发射机培训教案.ppt

在不同注入电流下的横模远场特性 4.激光器的调制特性 计算出的半导体激光器对500 ps方波电流脉冲的大信号调制响应 频率啁啾 实线表示发射的光脉冲形状 电光延迟和张弛振荡（严重限制系统传输速率和通信质量） 解决方法：对激光器加直流预偏置 电光延迟 张弛振荡 码型效应 限制调制速率 半导体发光二极管LED 没有光学谐振腔 无阈值器件 项目 激光器（LD） 发光二极管（LED） 调制频带 ≤数GHz ≤数百Hz 光输出功率 ≤数十mW ≤数mW 耦合效率 大 小 频谱宽度 窄(数十埃) 宽(数百～数千埃) 线性 差 较好 受温度影响 大 小 发散角 小 大 发光原理 受激辐射 自发辐射 适用系统 中远距离、大容量 中近距离、中小容量 随着技术的进步，对激光器提出更高的要求： 谱线宽度更窄，并在高速率脉冲调制下保持动态单纵模特性； 发射波长更加稳定，并能实现调谐； 阈值电流更低，而输出光功率更大。 新型半导体激光器类型 量子阱激光器（QW-LD） 分布反馈激光器（DFB-LD） 分布布拉格反射激光器（DBR-LD） 耦合腔半导体激光器 垂直腔表面发射激光器（VCSEL-LD） QW(Quantum Well)-LD d典型值10nm（一般FP LD有源层的厚度在0.1-0.3微米）。 对载流子的限制---对电子和空穴允许占据能量状态的限制 MQW-LD SLM-LD与F-P LD 相比，它的谐振腔损耗与模式有关，即对不同的纵模具有不同的损耗。 单纵模 DFB 半导体激光器增益和损耗曲线 DFB(Distributed Feed Back)---LD DFB的反射结构是由有源区波导上的光栅提供， 这种反射结构是一种分布式的反馈结构。 DFB与F-P激光器相比的优点 ① 单纵模激光器 ② 谱线窄， 波长稳定性好 ③ 动态谱线好 ④ 线性响应好 平面波导集成电吸收调制激光器（EML---Electroabsorption Modulated Laser） DBR(Distributed Bragg Reflector)---LD 除有源区外，还紧靠其右側增加了一段分布式布拉格反射器，它起着衍射光栅的作用。 多层电介质镜工作原理 电介质镜由数层折射率交替变化的电介质材料组成，从界面上反射的光相长干涉，使反射光增强，如果层数足够多，波长为λ0 的反射系数接近1。 耦合腔激光器中的纵模选择性 把光耦合到外腔可实现单纵模工作； 只有波长与外腔纵模中的一个模相同时才能产生同相反馈 最接近增益峰，并且具有最低腔体损耗的纵模才变成主模。 C3激光器(Cleaved Coupled Cavity，切开的耦合腔) （a） C3激光器结构示意图 （b） C3激光器单纵模输出原理 外腔半导体激光器 多腔DBR激光器 商用PIC波长可调LD和调制器 多纵模激光器到单纵模激光器的演化过程 垂直腔表面发射激光器VCSEL---Vertical Cavity Surface Emitting Laser VCSEL激光器阵列 光发射机 光发射机是让 LD 携带信息信号以便在光纤中传输的装置。 光发射机有直接调制和外调制之分。 光发射机通常由复用、编码、调制、驱动电路和控制电路等部分组成。 直接调制光发射机 数字调制有编码电路，模拟调制没有编码电路 模拟信号对 LD 调制 数字信号对 LD 调制 外调制光发射机 * 在直流驱动下， 发射光波长只有符合激光振荡的相位条件式的波长存在。 这些波长取决于激光器纵向长度L，并称为激光器的纵模。 驱动电流变大，纵模模数变小 ，谱线宽度变窄。 这种变化是由于谐振腔对光波频率和方向的选择，使边模消失、主模增益增加而产生的。 当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，这种激光器称为静态单纵模激光器。 图3.7(b)是300 Mb/s数字调制的光谱特性， 由图可见，随着调制电流增大，纵模模数增多，谱线宽度变宽。 用F-P腔可得到的是直流驱动的静态单纵模激光器，要得到高速数字调制的动态单纵模激光器，必须改变激光器的结构。 第四章 光源和光发射机 光源是光纤通信的核心器件。为了实现光的调制或电光变换，在实际系统中总是将光源、驱动电路及其辅助电路构成一体，形成光发射机。 本章内容 1.光纤通信对光源的基本要求 2.半导体光源的物理基础 3.半导体激光器 4.半导体发光二极管 5.新型半导体激光器 6. 光发射机 光纤通信对光源的基本要求 光源发射的峰值波长，应在光纤的低损耗窗口之内。 有足够高的、稳定的输出光功率，以满足系统对光中继段距离的要求。 电光转换效率高，低功率驱动，长寿命，高可靠性。 单色性和