实验-四电极法测量半导体材料的电阻.docVIP

实验一 四电极法测量半导体材料的电阻 电阻率是评价一种半导体材料电学性能的重要指标，四电极法作为测量电阻率的有效方案之一，在当前的科研实验测试中，被广泛应用，本实验采用四电极法测量半导体硅基片的电阻率。 熟悉四电极法测量半导体材料或者金属薄膜材料电阻率的原理； 掌握四电极测量材料电阻率的方法。 三、实验原理 半导体材料和金属薄膜材料是现代电子工业技术中广泛应用的重要材料，被广泛应用在微电子期间，微型传感器、微型驱动器等电子器件中。金属薄膜的电阻率是金属薄膜材料的一个重要物理参量，是科研开发和生产实践中经常需要测量的物理量之一。 四电极电阻测量方法，主要用于半导体、金属薄膜、或者超导体材料等低电阻率样品的测量，使用的仪器和样品接线如图所示 四探针法测试原理示意图 测试时，四根金属电极和样品表面接触，外侧的1、4为通电流电极，内侧的2、3为测电压电极，由电流源输入小电流使得样品内部产生压降，同时用高阻抗的静电计、电子毫伏表或者数字电压表测出其他两根电极的电压即V23()。若一块电阻率为?的均匀半导体样品，其几何尺寸相对于探针间距来说可以看作无限大，当探针引入的点电流源的电流为I，由于均匀导体内恒定电场的等位面为球面，则在半径为r处的等位面的面积为?r?，电流密度为：?r?, 根据电导率和电流密度的关系可得：, 则距点电荷r处的电势为：, 半导体内各点的电势应为四个电极在该点形成电势的矢量和，通过数学推导可得四电极法测量电阻率的公式为： 式中，为探针系数，单位为 这就是常见的直流等间距四法测电阻率的公式。为了减小测量区域，以观察电阻率的不均匀性，四根不一定都排成一直线，而可以排成正方形或矩形，此时只需要改变计算电阻率公式中的探针系数C。四法的优点是与半导体材料样品之间不要求制备合金结电极，这给测量带来了方便。四法，可以测量样品沿径向分布的断面电阻率，从而可以观察电阻率的不均匀情况，由于这种方法可以迅速方便无破坏的测量任意形状的样品，且精度较高，适合大批量生产中使用，但由于该方法受针间距的限制，很难发现小于0.5 mm的两点电阻的变化。根据样品在不同电流下的电压值计算出该样品的电阻值及电阻率，例如某一种薄膜样品，在薄膜的面积为无限大或远大于四中相邻间距的时候，金属薄膜的电阻率可以由下式算出： 式中：d是薄膜的厚度，I是流经薄膜的电流，由恒流电源提供，V是电流流经薄膜时产生的电压。四探针法测量薄膜电阻率的原理图 在Si基底上镀150nm CoFeSi合金薄膜样品1个 五、实验内容 用电烙铁、铟丝把铜线粘付在样品上，形成正方对称的四个电极，并编号，并用游标卡尺测量各个电极之间距离。 1、4电极通直流电，2、3电极用万用表测量电压，每次改变0.01A，从0—0.6A逐次改变电流的大小，观察并记录相应的电压，记录表格。 表一、正方(四个电极位置呈正方形对称)四电极法测量CoFeSib薄膜的电阻，r12=_____、r24=_____、r13=_____、r34=_____. NO. U(V) I(A) NO. U(V) I(A) NO. U(V) I(A) 1 21 41 2 22 42 3 23 43 4 24 44 5 25 45 6 26 46 7 27 47 8 28 48 9 29 49 10 30 50 11 31 51 12 32 52 13 33 53 14 34 54 15 35 55 16 36 56 17 37 57 18 38 58 19 39 59 20 40 60 表二 共线二电极法测量CoFeSib薄膜的电阻，S=_____. NO. U(V) I(A) NO. U(V) I(A) NO. U(V) I(A) 1 21 41 2 22 42 3 23 43 4 24 44 5 25 45 6 26 46 7 27 47 8 28 48 9 29 49 10 30 50 11 31 51 12 32 52 13 33 53 14 34 54 15 35 55 16 36 56 17 37 57 18 38 58 19 39 59 20 40 60