单片机原理与应用第二章专用课件.ppt

漏极开路与上拉电阻的概念 →封锁与门A≡0 →地址/数据端与A输出无关 控制端=0→MUX下通→/Q与V1栅极直通 → V2截止→V1漏极开路 第2章 MCS-51单片机结构及原理 为使漏极开路的V1有效，必须通过外接上拉电阻与电源连通，上拉电阻的阻值一般为10kΩ。 注意：P1、P2、P3口无需外接上拉电阻（已有内部上拉电阻） 3 4 1 2 第二输入功能 V 第2章 MCS-51单片机结构及原理 P0.n的通用I/O口工作方式（控制端 = 0） 输出时： D端=1→/Q=0→V1截止→P0.n=1 D端=0→/Q/=1→V1导通→P0.n=0 读引脚时：P0.n→读引脚三态门1→内部总线（需要先写“1”） 读锁存器： Q端→读锁存器三态门2→内部总线 第2章 MCS-51单片机结构及原理 P0.n的地址/数据分时复用方式（控制端=1） “地址/数据” 端可无条件输入/输出——（真正的）双向口 “地址/数据”方式下没有漏极开路问题，无需外接上拉电阻 第2章 MCS-51单片机结构及原理 4. P2口 与P1.n差别：输出控制单元→总线功能 V P2.0～P2.7中的8个锁存器组成P2 SFR（A0H） 第2章 MCS-51单片机结构及原理 输出时： D端=1→Q端=1→V截止→P2.n=1 D端=0→Q端=0→V导通→P2.n=0 读引脚时：P2.n→读引脚三态门→内部总线（需要先写“1”） 读锁存器： Q端→读锁存器三态门→内部总线 P2.n的通用I/O口方式（控制端=0） V 第2章 MCS-51单片机结构及原理 输出时：地址端=1→V截止→P2.n=1 地址端=0→V导通→P2.n=0 P2.n的地址输出口方式（控制端=1） V 第2章 MCS-51单片机结构及原理 P0 ～ P3并行口的基本用途 1、可作为并行IO输入通道（例如，按键/开关连接通道） 第2章 MCS-51单片机结构及原理 2、可作为并行IO输出通道（例如，数码管显示器连接通道） 第2章 MCS-51单片机结构及原理 3、可作为串行通信通道（例如，双机通讯的连接通道） 第2章 MCS-51单片机结构及原理 4、可作为外部设备的连接通道（例如，存储器扩展通道） 第2章 MCS-51单片机结构及原理 P0～P3小结 1. 结构 2. 功能 B0H A0H 90H 80H SFR地址 ★ 第二功能 ★ ★ 总线端口 ★ ★ ★ ★ 准双向IO口 P3 P2 P1 P0 ★ ★ ★ 内部上拉电阻 ★ ★ ★ 输出控制 ★ ★ MUX开关 ★ ★ ★ ★ D锁存器 P3 P2 P1 P0 第2章 MCS-51单片机结构及原理 本章小结 1、单片机的CPU由控制器和运算器组成，在时钟电路和复位电路的支持下，按一定的时序工作。单片机的时序信号包括振荡周期、时钟周期、机器周期和指令周期。 2、51单片机采用哈佛结构存储器，共有3个逻辑存储空间和4个物理存储空间。片内低128字节RAM中包含4个工作寄存器组、128个位地址单元和80个字节地址单元。片内高128字节RAM中离散分布有21个特殊功能寄存器。 3、 P0～P3口都可作为准双向通用I/O口，其中只有P0口需要外接上拉电阻；在需要扩展片外设备时，P2口可作为其地址线接口，P0口可作为其地址线/数据线复用接口，此时它是真正的双向口。 第2章 MCS-51单片机结构及原理 作业： P34 1, 2，5，7，9 * * * * 2.2 MCS-51的存储器结构 1. 存储器划分方法 计算机存储器地址空间的两种结构形式： 普林斯顿结构和哈佛结构。 RAM和ROM统一编址 RAM和ROM分别编址 第2章 MCS-51单片机结构及原理 51系列单片机采用哈佛结构，共有4个物理存储空间 程序存储器ROM 数据存储器RAM 第2章 MCS-51单片机结构及原理 片内RAM、片内ROM、片外RAM、片外ROM 2. 程序存储器(ROM) 作用：存放程序、表格或常数，具有非易失性 特点：片内ROM与片外ROM统一编址（＞4KB时用片外ROM) 第2章 MCS-51单片机结构及原理 EA/ VPP (31引脚)：外部ROM允许访问/ 编程电源输入 a） 同时使用片内和片外ROM b）ROM地址分布 当EA引脚接高电平（开关接A点）时，4 KB以内的地址在片内ROM，大于4KB的地址在片外ROM中（图中折线），两者共同构成64K