华科模电ch半导体三极管放大电路基础培训教案.pptVIP

本章主要内容 基本元件——三极管 三极管的工作原理 三极管三个电极电流分配关系 基本概念 静态工作点 不同组态放大电路 基本电路 共射极放大电路（固定偏流、分压式） 基本方法 图解法 小型号模型分析法 * * 电子技术 第四章 半导体三极管放大电路基础 模拟电路部分 4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 4.1 半导体三极管 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 4.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 N N P B 基极 Base E 发射极 Emitter C 集电极 Collector NPN型 P N P 基极 B 集电极 C 发射极 E PNP型 发射区 基区 集电区 4.1.1 BJT的结构简介 发射结Je 集电结Jc B E C IB IE IC B E C IB IE IC 1、结构和符号： N N P B 基极 Base C 集电极 Collector 发射区 基区 集电区 E 发射极 Emitter 面积较大 较薄，掺杂浓度低 掺杂浓度较高 收集载流子(电子) 发射载流子(电子) 复合部分电子 控制传输比例 4.1.1 BJT的结构简介 2、结构特点： N N P B 基极 Base C 集电极 Collector 发射区 基区 集电区 E 发射极 Emitter 收集载流子(电子) 发射载流子(电子) 复合部分电子 控制传输比例 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 1、实现条件： 内部条件 外部条件 发射区掺杂浓度很高 集电区面积很大，掺杂浓度低于发射区 基区很薄，掺杂浓度最低 Je正偏 Jc反偏 Je正偏 Jc反偏 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散形成电流IEP IBN 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。 2. 内部载流子的传输过程（以NPN为例） 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 B E C N N P VEE RB VCC IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICN+ICBO?ICN IBN ICN 从基区扩散来的电子作为基区的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。 2. 内部载流子的传输过程（以NPN为例） 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 IB B E C N N P VEE RB VCC IE ICBO ICN IC=ICN+ICBO ?ICN IBN IE=IB+IC 2. 内部载流子的传输过程（以NPN为例） 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 总结: 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 3. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= ICN+ ICBO ?ICN ? 为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 IE=IB+ IC B E C N N P VEE RB VCC IE ICBO ICN IBN 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 根据 IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 3. 电流分配关系 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 RL e c b 1k? 共基极放大电路 5. 放大作用 若 ?vI = 20mV 则 电压放大倍数 VEE VCC VEB IB IE IC + - ?vI +?vEB ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?iE = -1