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量子点敏化催化活性的提高
量子点敏化催化活性的提高一维有序的ZnO纳米棒的光催化剂和光催化甲基橙降解的属性进行了扫描电子显微镜,透射电子显微镜,x射线衍射,UV-Vis-NIR吸收光谱、光致发光。结果表明,催化剂与量子点组装更有利的退化比原始的氧化锌纳米棒。具有核壳结构量子点的低光催化能力由于更高的载波传输障碍的硫化锌的壳层。除了其降解效率,光催化剂有几个优点鉴于增一维有序长直接在铟氧化锌纳米棒二氧化锡基板。本文提供了一种新方法来设计一个有效的和容易可回收光催化剂。
关键词:量子点;氧化锌纳米光催化剂
近年来,环境污染越来越严重。为了解决这个问题,考虑,能够努力一直致力于寻找有效的方法去除或破坏污染物。在这些方法中,光催化降解技术一直被认为是一种很有前途的方法由于其简单,成本低,多功能性范围广泛的污染物(杨et al .,2012;潘et al .,2012;王et al .,2012;Carneiro et al .,2011)。
TiO 2是最常用的半导体光催化降解,并取得了很大的进步在广泛的科学研究工作(唐et al .,2012;刘et al .,2012;Chowdhury et al .,2012;曹et al .,2011;亩et al .,2012)。氧化锌被视为一个潜在的替代TiO 2因为半导体特性相似。此外,氧化锌展品- er电子迁移率和高photo-generated电子寿命超过TiO 2,这是有利于染料的光催化降解。。氧化锌在TiO 2的另一个重要的优点是,它可以被广泛的合成方法合成(谢et al .,2012;Tamez et al .,2012;歌et al .,2012;王et al .,2011)。只能吸收一个非常小的紫外线太阳光谱的一部分,因为它的宽禁带,这是类似于TiO 2。因此有必要开发新催化剂,较小的带隙收获可见光。
许多努力都致力于提高可见光收获宽禁带半导体的能力。一般来说,这些方法可以概括成两个fam -才:一种方法是通过掺杂或带隙窄化引入杂质的禁带(李et al .,2008;Shieh等,2012)。另一种是通过与狭窄的带隙半导体敏化(穆克吉等,2012;Ratanatawanate等,2011;秋et al .,2011)。其中半导体化合物,CdSe最合适的由于其小带隙1.7 eV。利用纳米材料的性质,量子点(量子点)已经显示出不错的特征作为潜在的增敏剂,包括他们的可调带隙、高稳定、高电阻率和多个激子生成(MEG)。
虽然有一些出版物QD-sensitized氧化锌催化剂,很少有人注意到一个在尺寸上下令氧化锌纳米棒,尤其是纳米棒生长直接在氧化铟锡(ITO)基板。此外,调查的影响核壳量子点光催化性能是罕见的。
在本研究中,我们编造了一个assembled-QD one-dimensionally-ordered氧化锌奈米棒光催化剂,和然后调查了不同光催化剂的影响结构的光催化性质莫degra -dation。
氧化锌纳米棒的合成
氧化铟锡(ITO)玻璃基板(50个/平方)用于氧化锌奈米棒增长与丙酮清洗,超声波清洗器,乙醇和去离子水。促进氧化锌奈米棒的成核增长,50纳米氧化锌粒子组成的电影被超声喷雾热解法装配式衬底上。氧化锌奈米棒制造的热液反应的解决方案是由混合适当数量的氨(25%)和醋酸锌0.3摩尔/升60毫升瓶中去离子水autoclavable螺钉帽。ITO衬底(2厘米×2厘米)沉浸垂直解决方案,和密封的瓶子被加热到95°C 3人力资源在一个常规实验室烤炉,然后瓶子是自然冷却的1.5人力资源在衬底。随后,样品被多次与去离子水和干空气在表征(太阳et al .,2008;黄et al .,2010)。
1.2量子点合成硫化锌CdSe和CdSe /
油酸(OA)反应合成量子点顶部覆hot-injection方法。在three-neck瓶,70毫升十八烯(ODE)解决方案包含5.54克OA和0.51 g CdO第一次被加热到180°C N 2氛围下形成一个明确的解决方案。在three-neck瓶,70毫升十八烯(ODE)解决方案包含5.54克OA和0.51 g CdO第一次被加热到180°C N 2氛围下形成一个明确的解决方案。最后,量子点添加了甲醇和丙酮沉淀,然后溶于甲苯存储(陈et al .,2009)。
0.2中毒CdO,4的材料中毒乙酸锌和4中毒OA被装载在three-neck瓶,这是疏散在150°C 30分钟形成锌(OA)2。然后反应堆充满了N 2,增加了15毫升的颂歌,反应堆加热到305°C。升高温度,2毫升溶解0.1中毒Se和3。5中毒年代迅速注入反应堆。反应温度维持在300°C核壳量子点CdSe /硫化锌的进一步发展。经过10分钟的反应,反应器冷却到室温(夸克et a
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