光电检测技术第四章教程.ppt

§4.1光伏特效应 §4.2光伏探测器的工作模式 §4.3光电池 §4.4硅光电二极管和三极管 PN结中光生电子与空穴的流动，使P区的电势增高，这相当于在PN结上加一正向偏压U，这个正向电压使PN结势垒由eVD降至eVD－eU。同时，这个正向电压还引起电流Id＝Is0(eqU/KT?1)流过PN结，Id的方向正好与上述光电流Ip的方向相反。所以，在入射光辐射作用下流过PN结的总电流为 I=Is0(eqU/KT?1)? Ip 有光照时，若p-n结外电路接上负载电阻 ，如下图所示，此时p-n结内出现两种方向相反的电流：一种是光激发产生的电子—空穴对，在内建电场作用下，形成的光生电流 ，它与光照有关，其方向与p-n结反向饱和电流 相同；另一种是光生电流 流过负载 产生电压降，相当于在p-n结施加正向偏置电压，从而产生正向电流 。 如果给PN结加上一个反向偏置电压U，外加电压所建的电场方向与PN结内建电场方向相同，则PN结的势垒高度由eVD增加到eVD＋eU，使光照产生的电子空穴对在强电场作用下更容易产生漂移运动，提高了器件的频率特性。 在光照反偏条件下工作时，观察到的光电信号是光电流，而不是光电压，这便是结型光电探测器的工作原理。